合肥格易集成电路有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司耿莉荣获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥格易集成电路有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司申请的专利非易失存储器的擦除方法及非易失存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110609075.X，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权非易失存储器的擦除方法及非易失存储器是由耿莉荣;李枝勇设计研发完成，并于2021-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失存储器的擦除方法及非易失存储器在说明书摘要公布了：本公开提供一种非易失存储器的擦除方法及非易失存储器，涉及存储器技术领域。该方法包括：对目标擦除区域的多个子区域分别进行预校验，所述预校验用于判断所述子区域中的各个存储单元的阈值电压是否小于预校验电压；在所述目标擦除区域的多个子区域包括未通过所述预校验的子区域的情况下，对未通过所述预校验的子区域执行预编程操作；以及对执行所述预编程操作后的子区域执行擦除操作。该方法优化了非易失存储器的擦除功耗和时间。
本发明授权非易失存储器的擦除方法及非易失存储器在权利要求书中公布了：1.一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，包括： 对目标擦除区域的多个子区域分别进行预校验，所述预校验用于判断所述子区域中的各个存储单元的阈值电压是否小于预校验电压； 在所述目标擦除区域的多个子区域包括未通过所述预校验的子区域的情况下，对未通过所述预校验的子区域执行预编程操作；以及 对执行所述预编程操作后的子区域执行擦除操作； 所述对执行所述预编程操作后的子区域执行擦除操作包括： 在一次擦除脉冲期间，在所述目标擦除区域的衬底上施加擦除电压，并在所述目标擦除区域的多个子区域中： 在通过所述预校验的子区域的字线上施加第一电压，在执行所述预编程操作后的子区域的字线上施加第二电压。
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