意法半导体(克洛尔2)公司F·罗伊获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利光敏传感器以及对应的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115483306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210681758.0,技术领域涉及:H10F30/28;该发明授权光敏传感器以及对应的制造方法是由F·罗伊设计研发完成,并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本光敏传感器以及对应的制造方法在说明书摘要公布了:本公开的各实施例涉及光敏传感器以及对应的制造方法。一种光敏传感器,包括像素,该像素由光敏区、读取区、以及传送栅极形成,光敏区在第一半导体材料中,读取区在第二半导体材料中,传送栅极面向第一半导体材料和第二半导体材料的位于光敏区与读取区之间的部分。第一半导体材料和第二半导体材料具有不同带隙,并且彼此接触以形成面向传送栅极的异质结。
本发明授权光敏传感器以及对应的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种光敏传感器,包括: 至少一个像素,其中每个像素包括: 第一半导体材料中的光敏区; 第二半导体材料中的读取区;以及 传送栅极,面向所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的位于所述光敏区与所述读取区之间的部分; 其中所述第一半导体材料具有第一带隙并且所述第二半导体材料具有与所述第一带隙不同的第二带隙; 其中所述第一半导体材料与所述第二半导体材料彼此接触以形成面向所述传送栅极的异质结;并且 其中在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的位于所述光敏区与所述读取区之间的部分中,所述第一半导体材料和所述第二半导体材料以相同的导电类型掺杂。
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