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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种电容式微流体压力传感器、制备方法及其微流体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115541099B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210914016.8，技术领域涉及：G01L9/12；该发明授权一种电容式微流体压力传感器、制备方法及其微流体芯片是由徐天彤;李海旺;曹晓达;陶智;翟彦欣;路浩楠设计研发完成，并于2022-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容式微流体压力传感器、制备方法及其微流体芯片在说明书摘要公布了：一种电容式微流体压力传感器、制备方法及其微流体芯片，包括上、中、下三层结构，其制备方法包括：对上中下三层晶圆进行加工形成三层晶圆键合，再通过磁控溅射形成引线焊盘，最后再进行切割，实现微流体压力传感器的制备；分别对上层晶圆、中间层晶圆、下层晶圆的制备。本发明在不破坏微通道形状的情况下，与微流体芯片进行集成，实现对微流体压力的原位实时动态测量。该压力传感器压力测点直径范围在几百到几千微米，分辨率达到1Pa。该微流体压力传感器为硅基压力传感器，使用玻璃材料作为上盖板，实现微流体芯片的可视化。相比PDMS等聚合物基微流控芯片所使用的微流体压力传感器，该传感器回滞小，响应时间少，结构尺寸精度更高。

本发明授权一种电容式微流体压力传感器、制备方法及其微流体芯片在权利要求书中公布了：1.一种电容式微流体压力传感器，包括上、中、下三层结构；其特征为： 上层结构上端面构造有流体微通道入口、流体微通道出口以及上层引线孔；所述上层结构下端面设置在中间层结构的上端面与流体微通道凹槽形成流体微通道； 中间层结构设置在下层结构的上端面，中间层结构下端面与下层结构上端面紧密连接；所述中间层结构上构造有流体微通道凹槽、上电极引线焊盘、上电极引线凹槽以及中间层引线孔； 下层结构上构造有下层引线孔、下电极凹槽、带状凹槽、下电极引线凹槽以及下电极引线焊盘；所述下电极凹槽、带状凹槽、下电极引线凹槽通过掺杂实现这三个区域的电导通； 中间层结构材料为器件层电阻率小且双面抛光的SOI晶圆；该中间层结构分为下表面的二氧化硅层、器件层、埋氧层、衬底层以及上表面的二氧化硅层五层； 衬底层与埋氧层用于形成流体微通道凹槽，流体微通道凹槽的下底面为埋氧层的上表面，该埋氧层用于实现所述器件层与衬底层的电绝缘；所述上电极引线凹槽的底面为中间层的器件层；所述器件层与下电极凹槽的下底面形成电容； 中间层结构在与下层结构紧密连接后，流体微通道凹槽下底面除位于下层结构下电极凹槽正上方的部分，其余都被下层结构的上端面支撑固定，只有下层结构下电极凹槽正上方的部分悬空；该悬空部分作为微流体压力传感器的膜片，用于感知微流体与下电极凹槽气体二者之间的压力差；当微流体压力传感器的膜片受到压力差作用而变形，中间层的器件层与下电极凹槽的下底面形成的电容值变化。

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