芯盟科技有限公司张帜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利垂直沟道存储器的有源区结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568216B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211239862.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权垂直沟道存储器的有源区结构及其形成方法是由张帜;华文宇设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直沟道存储器的有源区结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种垂直沟道存储器的有源区结构及其形成方法。所述方法包括：提供具有多个闭合环形掩膜结构的衬底；利用所述多个闭合环形掩膜结构在所述衬底上刻蚀，得到多个闭合环形有源区单元；于所述衬底上沉积隔离层并平坦化，以暴露出所有所述闭合环形有源区单元的表面；切断每一所述闭合环形有源区单元的相对两侧边，以形成相互隔离的第一有源区及第二有源区。上述技术方案，通过对闭合环形有源区单元的相对两侧边进行切断，形成相互隔离的第一有源区及第二有源区，使第一有源区及第二有源区的两端受力均衡，以避免有源区两端产生底部图形错位导致的位线短路。
本发明授权垂直沟道存储器的有源区结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直沟道存储器的有源区结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供具有多个闭合环形掩膜结构的衬底； 利用所述多个闭合环形掩膜结构在所述衬底上刻蚀，得到多个闭合环形有源区单元； 于所述衬底上沉积隔离层并平坦化，以暴露出所有所述闭合环形有源区单元的表面； 切断每一所述闭合环形有源区单元的相对两侧边，以形成相互隔离的第一有源区及第二有源区，所述第二有源区的第一端位于所述第一有源区的第二端的延长线上，所述第二有源区的第二端位于所述第一有源区的第一端的延长线上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯盟科技有限公司，其通讯地址为：314400 浙江省嘉兴市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励