北京航天控制仪器研究所刘福民获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航天控制仪器研究所申请的专利一种MEMS器件电极布局结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115571845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211035006.3,技术领域涉及:B81B7/02;该发明授权一种MEMS器件电极布局结构是由刘福民;张乐民;刘国文;徐杰;徐宇新;王学锋设计研发完成,并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS器件电极布局结构在说明书摘要公布了:本发明涉及一种MEMS器件电极布局结构,属于微机电系统制造技术领域。包括MEMS敏感结构、MEMS敏感结构固定锚区、MEMS电极引线、MEMS电极铺地区、MEMS绝缘层接触孔、MEMS电极引出焊盘和MEMS电极铺地引出焊盘,MEMS敏感结构通过MEMS敏感结构固定锚区与衬底片固定,并与分布于衬底片上的MEMS电极引线连接;衬底片上制备有多层金属层,在各层金属层间有绝缘层;在各金属层中制备MEMS电极引线,各层MEMS电极引线通过MEMS绝缘层接触孔穿通绝缘层实现电学连接;在各层金属层中MEMS电极引线以外的区域铺设MEMS电极铺地区。本发明有效降低电磁干扰与信号串扰,降低信号噪声水平。
本发明授权一种MEMS器件电极布局结构在权利要求书中公布了:1.一种MEMS器件电极布局结构,其特征在于,包括MEMS敏感结构、MEMS敏感结构固定锚区1、MEMS电极引线、MEMS电极铺地区、MEMS绝缘层接触孔4、MEMS电极引出焊盘5和MEMS电极铺地引出焊盘6, MEMS敏感结构通过MEMS敏感结构固定锚区1与衬底片固定,并与分布于衬底片上的MEMS电极引线连接; 衬底片上制备有多层金属层,在各层金属层间有绝缘层;在各金属层中制备MEMS电极引线,各层MEMS电极引线通过MEMS绝缘层接触孔穿通绝缘层实现电学连接;在各层金属层中MEMS电极引线以外的区域铺设MEMS电极铺地区; MEMS电极引线与MEMS电极引出焊盘5相连,MEMS电极铺地区与MEMS电极铺地引出焊盘6相连; 衬底片上有两层金属层,在第一层金属层上制备有第一层MEMS电极引线2、第一层MEMS电极铺地区7; 在第二层金属层上制备有第二层MEMS电极引线3、第二层MEMS电极铺地区8; MEMS电极铺地引出焊盘6与第一层MEMS电极铺地区7和第二层MEMS电极铺地区8相连; 第一层MEMS电极铺地区7分布在第一金属层上,位于第一层MEMS电极引线2、MEMS敏感结构固定锚区1、MEMS电极引出焊盘5、MEMS电极铺地引出焊盘6以外的区域。
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