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龙图腾网获悉黄山芯微电子股份有限公司申请的专利一种改善衬底片外延后硅渣的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115652425B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211207211.3，技术领域涉及：C30B28/14；该发明授权一种改善衬底片外延后硅渣的方法是由封彦朋;赵世印;叶民强;王民安;汪建华;吴海军;胡夏芳;张曈曈设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善衬底片外延后硅渣的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善衬底片外延后硅渣的方法，包括背封步骤以及外延步骤；背封步骤中，控制多晶温度在600℃至650℃，采用硅烷作为原材料，在多晶温度下硅烷分解沉淀，籍以形成多晶膜；经过多晶步骤背封后的衬底硅片，经过抛光后，进入外延步骤。本发明调整多晶背封步骤中的多晶温度，来控制衬底片形成多晶膜后的物理特性，从而改善衬底片外延后的背面硅渣问题。

本发明授权一种改善衬底片外延后硅渣的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善衬底片外延后硅渣的方法，其特征在于：包括背封步骤以及外延步骤；所述背封步骤中，包括用于生成二氧化硅背封膜的步骤和生成多晶膜的步骤，其中，先生成二氧化硅膜后生成多晶膜；生成多晶膜时，控制多晶温度在600℃至650℃，采用硅烷作为原材料，在多晶温度下硅烷分解沉淀，籍以形成多晶膜；经过多晶步骤背封后的衬底硅片，经过抛光后，进入外延步骤；多晶温度为600℃，抛光后的平整度在2.74~6.05μm之间，翘曲度在70.48~81.34之间，弯曲度在-36.31~-32.17之间；多晶温度为640℃，抛光后的平整度在4.01~6.33μm之间，翘曲度在38.33~48.84之间，弯曲度在-21.96~-17.71之间；多晶温度为650℃，抛光后的平整度在2.5~7.4μm之间，翘曲度在20.56~29.37之间，弯曲度在-13.29~-9.26之间；所述外延步骤包括如下：1利用氯化氢气体在高温下对外延炉基座进行腐蚀，去除基座上的沉积物；2向外延炉基座片坑内装入衬底片；3进行本征外延层的生长，采用三氯氢硅在衬底上生长本征外延层，阻止重掺衬底杂质的溢出，用氢气输送气态三氯氢硅进入反应腔室；4进行掺杂外延层的生长，用氢气输送气态三氯氢硅和磷烷掺杂剂进入反应腔室；5外延层生长达到预定厚度后开始降温，然后将外延片从基座上取出。

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