上海微电子装备(集团)股份有限公司游继光获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微电子装备(集团)股份有限公司申请的专利一种测压硅片、测压方法及光刻设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115685689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110874978.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种测压硅片、测压方法及光刻设备是由游继光;李先明设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测压硅片、测压方法及光刻设备在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种测压硅片、测压方法及光刻设备。其中测压硅片包括硅片本体，硅片本体一侧的表面设置有多个安装槽；多个测压芯片，每个测压芯片位于一个安装槽内，测压芯片用于测量硅片本体的表面在第一方向和第二方向受到的压力；其中，所述第一方向平行于所述硅片本体的表面，所述第二方向垂直于所述硅片本体的表面。本发明实施例的技术方案，可以测量光刻关键区域中气浴或浸没流场作用在硅片表面上的压力，评估气浴或浸没流场对硅片在水平和垂直方向的受力变形的影响和关键区域如工件台、硅片传输区域的过压指标。
本发明授权一种测压硅片、测压方法及光刻设备在权利要求书中公布了：1.一种测压硅片，其特征在于，包括： 硅片本体，所述硅片本体一侧的表面设置有多个安装槽； 多个测压芯片，每个所述测压芯片位于一个所述安装槽内，所述测压芯片用于测量所述硅片本体的表面在第一方向和第二方向受到的压力； 其中，所述第一方向平行于所述硅片本体的表面，所述第二方向垂直于所述硅片本体的表面； 所述测压硅片用于浸没式光刻设备中； 所述测压硅片包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的所述测压芯片开启数量分别为n1、n2和n3，n1≥n2≥n3； 其中，所述第一区域为浸没流场覆盖的当前曝光场区域、所述第二区域为浸没流场覆盖的当前曝光场之外区域，所述第三区域为非浸没流场区域。
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