正泰新能科技有限公司马玉超获国家专利权
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龙图腾网获悉正泰新能科技有限公司申请的专利一种新型TOPCON电池及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692516B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211391304.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种新型TOPCON电池及其制作方法是由马玉超;叶巨洋;方灵新设计研发完成，并于2022-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型TOPCON电池及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏器件制造领域，特别是涉及一种新型TOPCON电池及其制作方法，通过对经过开槽的n型基体硅的正面和背面依次设置氧化硅层与多晶硅层，得到待掺杂硅片，再进行双面掺杂；去除经过掺杂的硅片的正面的非SE区的多晶硅层及氧化硅层，得到电池前置物；清洗所述电池前置物，去除玻璃化硅；在去除玻璃化硅的电池前置物正面设置氧化铝钝化层；在所述氧化铝钝化层的表面设置正面氮化硅层，在背面的多晶硅表面设置背面的氮化硅层，得到光伏硅片；对所述光伏硅片进行表面金属化，得到所述新型TOPCON电池。本发明增加了位于正面的氧化硅层及位于正面的多晶硅层与所述n型基体硅的接触面积，提升电池片的短路电流与填充因子。
本发明授权一种新型TOPCON电池及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种新型TOPCON电池的制作方法，其特征在于，包括： 在n型基体硅的SE区开槽，得到凹槽； 对经过开槽的n型基体硅的正反两面依次沉积氧化硅层与多晶硅层，得到待掺杂硅片； 对所述待掺杂硅片的正面进行硼掺杂，背面进行磷掺杂； 去除经过掺杂的硅片的正面的非SE区的多晶硅层及氧化硅层，得到电池前置物； 清洗所述电池前置物，去除玻璃化硅； 在去除玻璃化硅的电池前置物正面设置氧化铝钝化层； 在所述氧化铝钝化层的表面设置正面氮化硅层，在背面的多晶硅层的表面设置背面氮化硅层，得到光伏硅片； 对所述光伏硅片进行表面金属化，得到所述新型TOPCON电池。
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