矽创电子股份有限公司郑奕禧获国家专利权
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龙图腾网获悉矽创电子股份有限公司申请的专利驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110901303.0，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权驱动电路是由郑奕禧;张书铭设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种驱动电路，包含有一第一内部电路及一外部电路。该第一内部电路包含有一第一缓冲器，用来接收一输入电压。该外部电路耦接于该第一缓冲器及一接地端之间，包含有一第一电晶体，用来根据该输入电压，产生一负载电压。该第一内部电路另包含有一电流镜，用来根据一电流源，提供一电流；一互补式金属氧化物半导体，耦接于该电流镜、该第一缓冲器及该外部电路之间，用来驱动该外部电路；以及一第二电晶体，耦接于该互补式金属氧化物半导体及该接地端之间，用来提供该第一电晶体透过该第二电晶体进行一放电运作。
本发明授权驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种驱动电路，包含有： 一第一内部电路，包含有一第一缓冲器，用来接收一第一输入电压；以及 一外部电路，耦接于该第一缓冲器及一接地端之间，包含有一第一电晶体，用来根据该第一输入电压，产生一负载电压； 其中该第一内部电路另包含有： 一电流镜，用来根据一电流源，提供一电流； 一互补式金属氧化物半导体，耦接于该电流镜、该第一缓冲器及该外部电路之间，用来驱动该外部电路； 至少一阻抗单元，耦接于该互补式金属氧化物半导体及该第一电晶体之间；以及 一第二电晶体，耦接于该互补式金属氧化物半导体、该至少一阻抗单元及该接地端之间，用来提供该第一电晶体透过该第二电晶体进行一放电运作；以及 该外部电路另包含有： 一电感器，耦接于该第一电晶体及该接地端之间，用来提供该第一电晶体透过该电感器进行一放电运作； 一二极体，耦接于该第一电晶体及该接地端之间，用来降低流入该电感器的一电流的一变化速率；以及 一电容器，耦接于该第一电晶体及该接地端之间，用来缓冲该第一电晶体的一闸极与该接地端之间的一闸极电压的一变化速率。
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