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龙图腾网获悉国家电投集团新能源科技有限公司申请的专利异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211621931.4，技术领域涉及：H10F10/17；该发明授权异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法是由宿世超;王伟;刘刚设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及异质结太阳能电池技术领域，具体公开了一种异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法，其中，异质结太阳能电池包括N型晶体硅片；N型晶体硅片的受光面依次叠设氧化硅层、本征非晶硅层、磷掺杂非晶硅层、TCO导电薄膜层、副栅线、隔离薄膜层及主栅线；背光面依次叠设氧化硅层、本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层、TCO导电薄膜层、副栅线、隔离薄膜层及主栅线；隔离薄膜层完全覆盖所述副栅线，所述隔离薄膜层包括第一隔离薄膜子层、第二隔离薄膜子层及第三隔离薄膜子层；该方法控制生产成本前提下提高电池的转化效率，同时解决副栅线使用银包铜浆料氧化失效问题。

本发明授权异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于，异质结太阳能电池包括： N型晶体硅片； 所述N型晶体硅片的受光面依次叠设氧化硅层、本征非晶硅层、磷掺杂非晶硅层、TCO导电薄膜层、副栅线、隔离薄膜层及主栅线； 所述N型晶体硅片的背光面依次叠设氧化硅层、本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层、TCO导电薄膜层、副栅线、隔离薄膜层及主栅线； 其中，所述隔离薄膜层完全覆盖所述副栅线；所述隔离薄膜层包括依次层叠设置的第一隔离薄膜子层、第二隔离薄膜子层及第三隔离薄膜子层； 所述方法包括以下步骤： 步骤S100：对N型单晶硅片进行制绒：将N型单晶硅片置于0.5％～10％浓度的氢氧化钾或氢氧化钠溶液溶液中进行反应；其中反应环境温度为55℃～95℃，反应时间控制在3min～20min；使N型单晶硅片双面形成金字塔陷光结构的绒面； 步骤S200：将制绒后N型单晶硅片放置硝酸溶液中，使所述制绒后N型单晶硅片双面生成氧化硅层； 步骤S300：将制得氧化硅层的N型单晶硅片转移至PECVD真空腔室进行退火处理，退火处理后，在制得氧化硅层的N型单晶硅片受光面依次沉积本征非晶硅层及磷掺杂非晶硅层， 背光面依次沉积本征非晶硅层及硼掺杂非晶硅层；制得异质结太阳能电池中间体； 步骤S400：采用PVD或者RPD物理法在异质结太阳能电池中间体双面分别沉积TCO导电薄膜层，所述TCO导电薄膜层厚度为50nm～200nm，折射率为1.6～2.5； 步骤S500：在沉积TCO导电薄膜后的异质结太阳能电池双面分别印刷银包铜的浆料作 为电池片副栅线，所述副栅线根数为30根～300根，所述副栅线宽度10μm～200μm，所述银包铜浆料中的银含量为20％～50％； 步骤S600：将制得所述副栅线的异质结太阳能电池双面依次沉积第一隔离薄膜子层、第二隔离薄膜子层及第三隔离薄膜子层； 步骤S700：将镀隔离薄膜层后的异质结太阳能电池双面印刷低温银浆导电浆料作为主栅线，所述主栅线与副栅线垂直；所述主栅根数为5根～20根，所述主栅线宽度为80μm～500μm。

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