哈尔滨工程大学张洪泉获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工程大学申请的专利一种量子点γ/X射线辐射探测器及探测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115840244B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211348491.X，技术领域涉及：G01T1/16；该发明授权一种量子点γ/X射线辐射探测器及探测方法是由张洪泉;牛洪欣;喻均昌;张凯;汪建;许德新;张洪岩设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子点γ/X射线辐射探测器及探测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及核辐射探测领域，公开了一种量子点γX射线辐射探测器，所述探测器包括光纤、漫反射层，所述光纤内部设置耦合剂层，所述耦合剂层上设置量子点涂层，所述漫反射层填充在量子点涂层内，所述光纤的断面为楔形端面，所述量子点涂层断面及光纤的断面处设置漫反射端头，内部设置所述量子点涂层的光纤外侧设置黑体封装层，所述光纤的末端与光电倍增管连接。本发明解决了现有技术中辐射探测器存在体积大、布点困难，或稳定性不好、可靠性不高的问题。
本发明授权一种量子点γ/X射线辐射探测器及探测方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点γX射线辐射探测器，其特征在于，所述探测器包括光纤1、漫反射层3，所述光纤1的微孔内部设置耦合剂层6，所述耦合剂层6上设置量子点涂层2，所述漫反射层3充分填充在量子点涂层2内部，所述光纤1的一侧端面为楔形端面，所述楔形端面设置有漫反射端头7，所述量子点涂层2的端面连接漫反射端头7，内部设置所述量子点涂层2的光纤1外侧设置黑体封装层4，所述光纤1的另一侧与光电倍增管5连接，量子点涂层2、黑体封装层4、光电倍增管5、耦合剂层6均为与光纤1同轴的圆柱形层状结构。
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