中国电子科技集团公司第四十八研究所仲啸获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十八研究所申请的专利一种SiC栅氧层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211511087.X，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种SiC栅氧层的制备方法是由仲啸;曾桂辉;余洋设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC栅氧层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC栅氧层的制备方法，包括以下步骤：提供SiC外延衬底；在SiC外延衬底上形成牺牲层，对牺牲层进行腐蚀；对SiC外延衬底进行干氧氧化，形成栅氧氧化层；对形成有栅氧氧化层的SiC外延衬底进行氮化退火，形成SiC栅氧层。本发明SiC栅氧层的制备方法，采用干氧氧化与氮化退火相结合的方式，不仅可以制备厚度合中的SiC栅氧层，而且可以提高SiC栅氧层的电学特性和稳定性，从而能够获得更优的电学参数。另外，本发明SiC栅氧层的制备方法还具有工艺简单、操作方便、生产效率高等优点，适合于大规模制备，便于工业化应用。
本发明授权一种SiC栅氧层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC栅氧层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供SiC外延衬底； S2、在所述SiC外延衬底上形成牺牲层，对牺牲层进行腐蚀； S3、对SiC外延衬底进行干氧氧化，形成栅氧氧化层；所述干氧氧化为先按照10℃min升温至500℃，保温5min，然后以10℃min的速率升温至850℃，最后以5℃min的速率升温至目标温度，在升温过程中通入氮气与氧气的混合气体，温度升至目标温度后通入氧气进行高温氧化；所述高温氧化的温度为1200℃～1800℃；所述高温氧化的时间为30min～45min； S4、对形成有栅氧氧化层的SiC外延衬底进行氮化退火，形成SiC栅氧层；所述氮化退火的温度为1200℃～1800℃；所述氮化退火的时间≤60min。
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