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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211656341.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法是由薛军帅;孙文博;吴冠霖;姚佳佳;袁金渊;郭壮;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有硅衬底上氮化镓材料与硅衬底界面漏电及器件射频损耗大的问题。其自下而上包括硅衬底、射频损耗抑制层、沟道层、AlN插入层、势垒层，该势垒层上依次设有绝缘栅介质层和栅电极，两侧为源、漏电极。该射频损耗抑制层为AlN与过渡金属氮化物ScYAlN复合叠层结构，过渡金属氮化物层组分沿生长方向从AlN渐变到与沟道层面内晶格常数匹配的组分。本发明能避免硅衬底上采用MOCVD高温生长AlN成核层时铝原子与硅衬底的回熔刻蚀，抑制异质外延界面漏电和器件射频功率损耗，提高硅基氮化镓器件击穿电压和可靠性，可用于微波毫米波射频集成电路和高能效功率开关。

本发明授权低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管，自下而上，包括衬底1、沟道层3、AlN插入层4、势垒层5，其特征在于： 所述衬底1采用硅材料，且与沟道层3之间设有射频损耗抑制层2； 所述射频损耗抑制层2由AlN与过渡金属氮化物ScwYxAlyN的复合叠层结构构成，其单个叠层内AlN层厚度为0.5nm-5nm，ScwYxAlyN层厚度为0.5nm-10nm，总厚度为50nm-900nm；该过渡金属氮化物ScwYxAlyN层的每层内组分保持不变，不同层之间的组分沿着生长方向从AlN渐变到与沟道层面内晶格常数匹配的组分，每层内的组分0≤w≤0.35、0≤x≤0.25、0y1，且w+x+y=1； 所述沟道层3，采用GaN、或InGaN、或AlGaN； 所述势垒层5的上部依次设有绝缘栅介质层6和栅电极，两侧为源电极和漏电极； 在硅衬底和沟道层之间设置射频损耗抑制层，同时作为硅基氮化镓材料异质外延的成核层，避免硅衬底上MOCVD高温生长AlN成核层引起的Al原子与硅衬底表面的回熔刻蚀，抑制异质外延界面漏电沟道的形成和器件射频功率损耗；起到背势垒的作用，提高氮化镓器件有源区沟道层中二维电子气的限域性和输运特性，同时抑制垂直漏电，提高器件耐压能力。

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