哈尔滨工业大学李兴冀获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种单粒子瞬态模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115906595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211410683.9，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种单粒子瞬态模拟方法是由李兴冀;杨剑群;武磊;刘中利设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单粒子瞬态模拟方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种单粒子瞬态模拟方法，包括：获取预设的粒子入射的径向参数、粒子入射深度、轨道路径系数、时间参数和电子‑空穴对密度；根据所述时间参数确定粒子的电荷产生时间，根据所述粒子入射深度和所述轨道路径系数确定粒子在轨道路径上的变化情况；根据所述径向参数、所述电荷产生时间、所述变化情况、所述电子‑空穴对密度和预设电子‑空穴对生成率模型模拟电子‑空穴对生成率。本发明的有益效果：能够模拟判断器件受到单粒子效应的电学性能变化。
本发明授权一种单粒子瞬态模拟方法在权利要求书中公布了：1.一种单粒子瞬态模拟方法，其特征在于，包括： 获取预设的粒子入射的径向参数、粒子入射深度、轨道路径系数、时间参数和电子-空穴对密度； 根据所述时间参数确定粒子的电荷产生时间，根据所述粒子入射深度和所述轨道路径系数确定粒子在轨道路径上的变化情况； 根据所述径向参数、所述电荷产生时间、所述变化情况、所述电子-空穴对密度和预设电子-空穴对生成率模型模拟电子-空穴对生成率； 所述电子-空穴对密度包括第一电子-空穴对密度和第二电子-空穴对密度，所述变化情况包括第一轨道路径变化参数和第二轨道路径变化参数，所述预设电子-空穴对生成率模型包括： ； 其中，为所述电子-空穴对生成率，DENSITY为所述第一电子-空穴对密度，为所述第二电子-空穴对密度，S为比例缩放参数，为所述第一轨道路径变化参数，为所述第二轨道路径变化参数，Rr为所述径向参数，Tt为所述电荷产生时间。
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