福建省晋华集成电路有限公司林毓纯获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211731309.9，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体器件及其制作方法是由林毓纯;陈笋弘;刘安琪设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括衬底、至少一堆叠层、第一金属层、第二金属层、通道结构、以及阻障层。堆叠层设置在衬底上，第一金属层、第二金属层设置在衬底上、分别位在堆叠层的下方与上方。通道结构设置在衬底上，部分重叠第二金属层、堆叠层、与部分的第一金属层。阻障层设置在第二金属层内，其中，阻障层夹设在第二金属层与通道结构之间，并且在水平方向上的最大宽度大于通道结构的最大宽度。由此，通过阻障层的设置可有效防止第二金属层所包括的金属离子扩散而污染通道结构。如此，可提升半导体器件的结构可靠性与性能。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 至少一堆叠层，设置在所述衬底上； 第一金属层与第二金属层，设置在所述衬底上、分别位在所述至少一堆叠层的下方与上方； 通道结构设置在所述衬底上，部分重叠所述第二金属层、所述至少一堆叠层、与部分的所述第一金属层；以及 阻障层，设置在所述第二金属层内，其中，所述阻障层夹设在所述第二金属层与所述通道结构之间，所述阻障层在水平方向上的最大宽度大于所述通道结构的最大宽度；所述阻障层的材料选自由氧化铟铝锌、氧化铟锡、掺杂的氧化铟镓锌、氮化钛、氮化钽、与氮化钨所组成的群组。
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