买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211472090.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件是由盛况;王宝柱;王珩宇;任娜设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件在说明书摘要公布了：本公开涉及旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件。该方法包括：在预制半导体结构形成沟槽并得到半导体结构，其中，沟槽自源极侧延伸入半导体结构；形成沿沟槽的内壁面延展的绝缘层；形成介电层，其中，绝缘层位于介电层与半导体结构之间；以及形成延伸电极，其中，介电层位于延伸电极与绝缘层之间。该方法可以形成具有较好阻断能力和长期可靠性的旁路超结绝缘栅场效应管。

本发明授权旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件在权利要求书中公布了：1.用于制造旁路超结绝缘栅场效应管的方法，其特征在于，包括： 形成预制半导体结构，包括：形成堆叠的衬底和预制外延层；形成自源极侧延伸入所述预制外延层的体区；及形成自所述源极侧延伸入所述体区的第一源接触区； 在所述预制半导体结构形成沟槽并得到半导体结构，其中，所述沟槽自源极侧贯穿所述体区并延伸穿过所述半导体结构的外延层的至少一部分； 形成沿所述沟槽的底壁面和侧壁面延展的绝缘层； 形成位于所述绝缘层的底壁面和侧壁面的预制介电层，所述预制介电层的材料包括氧化铝和氧化铪中的至少一种，所述预制介电层的介电常数大于所述绝缘层的介电常数； 形成填充所述预制介电层所围绕形成的空间的预制保护层； 通过自所述源极侧去除所述预制保护层的一部分得到保护层，并暴露出所述预制介电层的部分侧壁； 刻蚀所述预制介电层形成介电层，其中，所述绝缘层位于所述介电层与所述半导体结构之间，所述介电层包括被所述保护层遮挡的第一介电部及所述刻蚀步骤形成的第二介电部，沿所述介电层与所述体区相对的方向，所述第一介电部的至少一处的尺寸大于所述第二介电部的各处的尺寸； 去除保护层； 形成延伸电极，其中，所述介电层位于所述延伸电极与所述绝缘层之间； 形成位于所述半导体结构的源极侧、且与所述绝缘层间隔设置的平面绝缘栅结构； 形成电连接于所述半导体结构及所述延伸电极的源极；以及 形成位于所述衬底背离所述外延层一侧的漏极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学杭州国际科创中心，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。