新电元工业株式会社前山雄介获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉新电元工业株式会社申请的专利宽带隙半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115989584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180052727.2，技术领域涉及：H10D64/64；该发明授权宽带隙半导体装置是由前山雄介;中村俊一;大贯仁设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本宽带隙半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的宽带隙半导体装置具有宽带隙半导体层10、以及设置在所述宽带隙半导体层10上的金属电极20。所述金属电极20在靠近所述宽带隙半导体层10的金属电极20侧的界面区域上具有由六方最密堆积结构HCP构成的单晶层21。所述单晶层21具有含O、S、P或Se的指定元素含量区域22。
本发明授权宽带隙半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括： 宽带隙半导体层；以及 金属电极，设置在所述宽带隙半导体层上且与所述宽带隙半导体层接触，由Ti、Cd、Hf、Mg、Zr或Sc构成， 其中，所述金属电极在靠近所述宽带隙半导体层的金属电极侧的界面区域具有由六方最密堆积结构构成的单晶层， 所述单晶层具有含有O、S、P或Se的指定元素含量区域， 在所述指定元素含量区域中，O、S、P或Se以原子浓度5％以上的比例以原子的状态存在。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新电元工业株式会社，其通讯地址为：日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励