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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于GaAs和FO-WLP工艺异质异构集成PDK的开发方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115993961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310099182.1，技术领域涉及：G06F8/30；该发明授权一种基于GaAs和FO-WLP工艺异质异构集成PDK的开发方法是由董泽瑞;刘军设计研发完成，并于2023-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于GaAs和FO-WLP工艺异质异构集成PDK的开发方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GaAs和FO‑WLP工艺异质异构集成PDK的开发方法，包括：准备阶段，准备GaAs和FO‑WLP工艺的开发文档、设计文档、器件模型文件；创建异质异构集成PDK库；创建GaAs和FO‑WLP工艺的CDF、artwork、boot、DRC、LVS等文件夹；开发阶段，编写启动异质异构集成PDK的defs文件；创建GaAs和FO‑WLP的技术文件；创建GaAs和FO‑WLP工艺器件的symbol、CDF参数、Callback、artwork、DRC、LVS文件；验证测试阶段，CDF&Callback验证，artwork验证，model文件验证，DRC和LVS验证。本发明能高效完成ADS工具下异质异构集成工艺PDK的开发，较完整的解决了一些目前异质异构集成PDK开发的技术问题，实现工艺数据与设计环境的无缝集成，缩短生产周期，为推进异质异构集成电路设计研究发挥重要作用。

本发明授权一种基于GaAs和FO-WLP工艺异质异构集成PDK的开发方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaAs和FO-WLP工艺异质异构集成PDK的开发方法，包括以下步骤： S1、准备阶段： 分别获取GaAs与FO-WLP的工艺信息文件，所述工艺信息文件包括：技术文件开发文档、GaAs和FO-WLP的器件列表开发文档、用于电路原理图设计的图形符号symbol开发文档、用于描述器件属性的CDF参数开发文档、Callback回调功能函数的开发文档、用于器件artwork开发的版图开发文档、bitmap文件的开发文档、用于原理图仿真的器件模型文件和用于设计规则检查DRC文件和版图对比原理图LVS文件开发的设计手册； 创建一个异质异构集成PDK库；在所述异质异构集成PDK库中创建主目录来存储异质异构集成PDK的基础组件，在基础组件中根据所述GaAs与FO-WLP工艺信息文件创建文件夹，用所述文件夹对所述GaAs和FO-WLP工艺信息文件的源文件进行分类储存，所述源文件是根据GaAs与FO-WLP的工艺信息文件运用AEL语言开发得到的源代码文件； 所述文件夹包括：GaAs和FO-WLP的CDF参数文件夹、GaAs和FO-WLP的artwork文件夹、GaAs和FO-WLP的bitmap文件夹、model文件夹、DRC文件夹、LVS文件夹；在所述基础组件中还需要创建boot文件夹、pallete文件夹；得到空的异质异构集成PDK； S2、开发阶段： S2-1：在步骤S1中创建的所述主目录下，创建lib.defs文件和for_editing_pdk.defs文件，编写代码将PDK的器件库调用到ADS工具软件中使用；所述PDK的器件库是用于存放异质异构集成PDK器件单元的文件； S2-2：在ADS工具软件中加载所述S1中空的异质异构集成PDK，按如下方法配置异质异构集成PDK的路径参数，得到尚未完成的异质异构集成PDK： 所述路径参数包括:model文件路径、boot文件路径、DRC文件路径、LVS文件路径， 将所述model文件路径，设置为所述S1中创建的所述model文件夹的路径， 将所述boot文件路径，设置为所述S1中创建的所述boot文件夹的路径， 将所述DRC文件路径，设置为所述S1中创建的所述DRC文件夹的路径， 将所述LVS文件路径，设置为所述S1中创建的所述LVS文件夹的路径， S2-3：根据所述S1中技术文件开发文档，在所述步骤S2-2得到的尚未完成的异质异构集成PDK中，分别创建GaAs和FO-WLP工艺的技术文件；所述技术文件用于版图设计和物理验证，包括：Layer定义文件、Layer显示文件、layermap文件、衬底信息文件； S2-4：根据所述S1中GaAs和FO-WLP的器件列表开发文档，在步骤S2-2得到的所述尚未完成的异质异构集成PDK中，创建每个器件单元； S2-5：根据所述S1中用于电路原理图设计的图形符号symbol开发文档，在ADS工具软件里，创建每个所述器件单元的symbol； S2-6：在S1中的boot文件，按下面所述方法编写代码配置异质异构集成PDK的参数路径： 所述异质异构集成PDK的参数路径包括：GaAsCDF参数文件路径、GaAsartwork参数文件路径、FO-WLPCDF参数文件路径、FO-WLPartwork参数文件路径， 将所述GaAsCDF参数文件路径，设置为所述S1中创建的GaAs的CDF参数文件夹的路径， 将所述GaAsartwork参数文件路径，设置为所述S1中创建的所述GaAsartwork文件夹的路径， 将所述FO-WLPCDF参数文件路径，设置为所述S1中创建的FO-WLP的CDF参数文件夹的路径， 将所述FO-WLPartwork参数文件路径，设置为所述S1中创建的所述FO-WLPartwork文件夹的路径; S2-7：根据所述S1中用于描述器件属性的CDF参数开发文档， 在S2-6中创建的所述GaAsCDF和FO-WLPCDF文件夹的路径下，运用AEL语言开发得到用于描述GaAs和FO-WLP工艺器件参数属性的CDF参数文件； S2-8：根据所述S1中Callback回调功能函数的开发文档， 在S2-7中的对应CDF参数文件中，运用AEL语言开发出Callback对应的功能，以达到所述S1中Callback回调功能函数的开发文档的要求； S2-9：根据所述S1中用于原理图仿真的器件模型文件， 获取步骤S1中创建的所述model文件夹的路径，在所述model文件夹的路径下，将GaAs和FO-WLP工艺器件的model文件转换成ADS工具软件可以读取的网表文件； S2-10：根据所述S1中用于器件artwork开发的版图开发文档， 在步骤S2-6中设置的所述GaAsartwork参数文件路径和所述FO-WLPartwork参数文件路径下，运用AEL语言开发GaAs和FO-WLP工艺器件的版图； S2-11：根据所述S1中用于设计规则检查DRC文件和版图对比原理图LVS文件开发的设计手册， 获取步骤S1中创建的所述DRC文件夹的路径，在所述DRC文件夹的路径下，根据S1所述的设计手册编写GaAs和FO-WLP工艺DRC文件； S2-12：根据所述S1中用于设计规则检查DRC文件和版图对比原理图LVS文件开发的设计手册， 获取步骤S1中创建的所述LVS文件夹的路径，在所述LVS文件夹的路径下，根据S1所述的设计手册编写GaAs和FO-WLP工艺LVS文件； S2-13：根据所述S1中bitmap文件的开发文档， 获取步骤S1中创建的所述bitmap文件夹，在所述bitmap文件夹下，使用ADS工具软件画出步骤S1中所述GaAs和FO-WLP的器件列表开发文档中每个器件的bitmap文件； S2-14：获取所述步骤S1中创建的所述pallete文件夹，在所述pallete文件夹下，通过AEL语言编写代码加载步骤S2-13中画出的每个器件的bitmap文件；得到开发完成的异质异构集成PDK。

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