陕西科技大学王海军获国家专利权
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龙图腾网获悉陕西科技大学申请的专利一种提高聚偏氟乙烯γ相的成核方法、基于成核方法的γ相聚偏氟乙烯介电膜以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116003844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211669563.0，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种提高聚偏氟乙烯γ相的成核方法、基于成核方法的γ相聚偏氟乙烯介电膜以及制备方法是由王海军;张辉;刘坤;袁慕华设计研发完成，并于2022-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高聚偏氟乙烯γ相的成核方法、基于成核方法的γ相聚偏氟乙烯介电膜以及制备方法在说明书摘要公布了：一种提高聚偏氟乙烯γ相的成核方法、基于成核方法的γ相聚偏氟乙烯介电膜以及制备方法，将陶瓷粉用于聚偏氟乙烯膜材料中提高γ相晶体的成核能力，并提高聚偏氟乙烯膜的亲水性及提高聚偏氟乙烯膜材料耐高温介电性能；介电膜原料包括陶瓷粉NBT0‑0.2份，聚偏氟乙烯PVDF10份，N,N‑二甲基甲酰胺DMF200‑204份；制备方法为：1以N,N‑二甲基甲酰胺作为溶剂配制浓度为5％陶瓷粉聚偏氟乙烯溶液；2将步骤1中的溶液滴入载玻片上，并在68‑72℃真空烘箱中固化成膜；3将步骤2制得的固化膜在200℃～220℃的热台上熔融消除热历史，然后快速降温到150‑170℃恒温结晶，至共混膜完全结晶；本发明γ相聚偏氟乙烯介电膜的制备方法工艺简单、操作方便、且性能优异，如耐高温、耐腐蚀、压电性与铁电性较强。
本发明授权一种提高聚偏氟乙烯γ相的成核方法、基于成核方法的γ相聚偏氟乙烯介电膜以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高聚偏氟乙烯γ相的成核方法，其特征在于：将陶瓷粉添加于聚偏氟乙烯膜材料中提高γ相晶体的成核能力，并提高聚偏氟乙烯膜的亲水性及提高聚偏氟乙烯膜材料耐高温介电性能；所述成核方法具体步骤为： 1称取陶瓷粉0.05-0.2份和聚偏氟乙烯10份，用N,N-二甲基甲酰胺200-204份作为溶剂，配制陶瓷粉聚偏氟乙烯溶液； 2将步骤1中得到的陶瓷粉聚偏氟乙烯溶液滴入载玻片上，并在68-72℃真空烘箱中固化成膜； 3将步骤2制得的固化膜在200℃~220℃的热台上熔融消除热历史，然后快速降温到150-170℃，恒温结晶6~8h，至共混膜完全结晶； 陶瓷粉为钛酸铋钠，粒径为250nm-350nm。
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