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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211613040.4，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权一种存储器及电子设备是由李卓;冯煊;韩承佑;张慧;刘立伟;杨明;张定昌设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种存储器及电子设备，用以提高存储器的计算量。本申请实施例提供的一种存储器，存储器包括多个存储单元，存储单元包括：衬底基板，位于衬底基板一侧的存储电路和传输电路；传输电路与存储电路电连接；存储电路用于存储数据；传输电路用于向存储电路写入数据或从存储电路读取数据；传输电路与存储电路堆叠设置；传输电路在衬底基板的正投影与存储电路在衬底基板的正投影具有交叠。

本发明授权一种存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元，所述存储单元包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的存储电路和传输电路；所述传输电路与所述存储电路电连接； 所述存储电路包括：由第三晶体管和第四晶体管组成的第一反相器，和由第五晶体管和第六晶体管组成的第二反相器，用于存储数据；所述传输电路包括：第一晶体管和第二晶体管，用于向所述存储电路写入数据或从所述存储电路读取数据； 所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极电连接；所述第五晶体管的栅极与所述第六晶体管的栅极电连接，所述第五晶体管的漏极与所述第六晶体管的源极电连接；所述第三晶体管的源极与所述第五晶体管的源极电连接，所述第四晶体管的漏极与所述第六晶体管的漏极电连接； 所述第一晶体管的漏极与所述第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的源极、所述第五晶体管的栅极、所述第六晶体管的栅极电连接； 所述第二晶体管的漏极与所述第五晶体管的漏极、所述第六晶体管的源极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极电连接； 所述第一晶体管的源极和漏极、所述第二晶体管的源极和漏极、所述第三晶体管的源极和漏极、所述第四晶体管的源极和漏极、所述第五晶体管的源极和漏极以及所述第六晶体管的源极和漏极同层设置； 所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极同层设置，所述第一晶体管的有源层与所述第二晶体管的有源层同层设置； 所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极、所述第五晶体管的栅极以及所述第六晶体管的栅极同层设置，所述第三晶体管的有源层、所述第四晶体管的有源层、所述第五晶体管的有源层以及所述第六晶体管的有源层同层设置； 所述传输电路与所述存储电路堆叠设置； 所述传输电路在所述衬底基板的正投影与所述存储电路在所述衬底基板的正投影具有交叠；其中，所述第一晶体管在所述衬底基板的正投影位于所述第三晶体管在所述衬底基板的正投影内；所述第二晶体管在所述衬底基板的正投影位于所述第五晶体管在所述衬底基板的正投影内。

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