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龙图腾网获悉晶门科技(深圳)有限公司申请的专利用于宽电源电压范围的半导体器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072667B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111649295.1，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权用于宽电源电压范围的半导体器件结构是由邓伯刚;吴文琦;林伯谚;游海斌设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于宽电源电压范围的半导体器件结构在说明书摘要公布了：公开了一种用于将输入信号转换为输出信号的电平转换器电路。电平转换器包括输入级和锁存级。所述锁存级包括至少晶体管，该晶体管的特征在于与所述输入级基本匹配的跨导，以防止电压钳位电路的分立实现。所述晶体管是半导体器件，该半导体器件包括具有源极掺杂区域的源极区以及具有第一掺杂区域和第二掺杂区域的漏极区。第一掺杂区域掺杂有第一导电性杂质。第二掺杂区域设置在所述第一掺杂区域的周围以便围绕第一掺杂区域，并且掺杂有第二导电性杂质。第二掺杂区域具有比第一掺杂区域更高的导通电阻，由此由第二掺杂区域产生高电阻串联路径，以模仿嵌入式电阻。

本发明授权用于宽电源电压范围的半导体器件结构在权利要求书中公布了：1.一种电平转换器电路，用于将第一电压域的输入信号转换为第二电压域的输出信号，所述电平转换器电路包括： 用于接收所述输入信号的输入级；以及 耦合到所述输入级的锁存级，该锁存级用于存储与所述输入信号相关联的逻辑状态并生成所述输出信号，其中所述锁存级包括至少晶体管， 所述电平转换器电路的特征在于所述晶体管是半导体器件，所述半导体器件包括： 源极区，所述源极区具有形成在源极端子的下方的源极掺杂区域；以及 漏极区，所述漏极区具有第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域均形成在漏极端子的下方， 其中： 所述第一掺杂区域掺杂有第一导电性杂质； 所述第二掺杂区域设置在所述第一掺杂区域的周围以便围绕所述第一掺杂区域，并且掺杂有第二导电性杂质，由此当栅极导通时，在源极区和漏极区之间的导电沟道必然穿过所述第二掺杂区域；以及 所述所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域被选择为使所述第二掺杂区域具有比所述第一掺杂区域更高的导通电阻，所述半导体器件的总导通电阻也是高的，由此由所述第二掺杂区域产生高电阻串联路径以模仿嵌入式电阻，使得所述晶体管具有与在所述输入级中的晶体管匹配的跨导，以防止电压钳位电路的分立实现或晶体管面积的显著增加。

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