买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院声学研究所申请的专利双质量块多边形结构的MEMS压电矢量水听器芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116105850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310036836.6，技术领域涉及：G01H11/08；该发明授权双质量块多边形结构的MEMS压电矢量水听器芯片的制备方法是由樊青青;邓威;李俊红;遆金铭;余卿;汪承灏设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本双质量块多边形结构的MEMS压电矢量水听器芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双质量块多边形结构的MEMS压电矢量水听器芯片的制备方法。包括加工衬底硅基片、压电复合悬臂结构、多边环形支撑结构、上下质量块。所述压电复合悬臂结构包括一体化的：悬臂中心和多条压电复合悬臂梁；所述压电复合悬臂梁的一端与所述质量块相连，其另一端与所述多边环形支撑结构一侧的内壁相连；上质量块和下质量块对称分布于所述多边环形支撑结构的正中心；相邻两个压电复合悬臂梁与多边环形支撑结构之间构成一个缝隙；多边环形支撑结构与下质量块之间形成孔洞。这种双质量块多边形结构的MEMS压电矢量水听器芯片的制备方法，工艺稳定性好，可行性强，成品率高。

本发明授权双质量块多边形结构的MEMS压电矢量水听器芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双质量块多边形结构的MEMS压电矢量水听器芯片的制备方法，所述方法包括以下步骤： 步骤1.准备衬底硅基片； 步骤2.在衬底硅基片表面沉积绝缘层4； 步骤3.在绝缘层4的上表面沉积金属膜，并对金属膜进行图形化，形成下电极6； 步骤4.在下电极6的上表面制备压电膜层，并对压电膜层图形化，形成压电层7； 步骤5.在压电层7的上表面沉积金属膜，并对金属膜进行图形化，形成上电极8； 步骤6.在衬底硅基片的上表面涂覆光刻胶，并在光刻胶上露出需刻蚀的多个缝隙12的图形并图形化，分别对绝缘层4、器件硅层1进行湿法腐蚀或干法刻蚀，形成多个缝隙12，为多条悬臂和下质量块10的释放做准备； 步骤7.在衬底硅基片的背面制备体刻蚀掩膜层5，并对体刻蚀掩膜层5进行图形化； 步骤8.对衬底硅基片的底部进行湿法腐蚀或干法刻蚀，形成孔洞9，并释放得到多条悬臂和下质量块10；所述孔洞9中间的基底硅层3即为下质量块10； 步骤9.在压电复合悬臂结构的上表面粘贴或键合一个上质量块11，且所述上质量块11与下质量块10位于压电复合悬臂结构上下表面的相同位置处；上质量块11与下质量块10质量相同，使得上下质量块整体的重心与压电复合悬臂结构的重心重合； 所述上质量块11通过刻蚀、粘贴或键合制得。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院声学研究所，其通讯地址为：100190 北京市海淀区北四环西路21号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。