联华电子股份有限公司李信宏获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153931B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111375792.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其制作工艺是由李信宏设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。该半导体结构包含一基底、一薄膜晶体管位于该基底上，该薄膜晶体管包含一薄膜晶体管通道层、一第一源极与一第一漏极位于该薄膜晶体管通道层中以及一第一覆盖层位于该薄膜晶体管通道层上、一金属氧化物半场效晶体管位于该基底上，该薄膜晶体管包含一第二栅极、一第二源极与一第二漏极位于该第二栅极两侧以及一第二覆盖层位于该第二栅极上，其中该第二覆盖层与该第一覆盖层的顶面同高、以及一第一层间介电层位于该第一覆盖层与该第二覆盖层上，其中该第一层间介电层与该第一覆盖层共同作为该薄膜晶体管的栅介电层。
本发明授权半导体结构及其制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包含： 基底； 薄膜晶体管，位于该基底上，该薄膜晶体管包含薄膜晶体管通道层、第一源极与第一漏极位于该薄膜晶体管通道层中以及第一覆盖层位于该薄膜晶体管通道层上； 金属氧化物半导体场效应晶体管，位于该基底上，该金属氧化物半导体场效应晶体管包含第二栅极、第二源极与第二漏极分别位于该第二栅极两侧、以及第二覆盖层位于该第二栅极上，其中该第二覆盖层与该第一覆盖层的顶面同高；以及 第一层间介电层，位于该第一覆盖层与该第二覆盖层上，其中该第一层间介电层与该第一覆盖层共同作为该薄膜晶体管的栅介电层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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