芯盟科技有限公司华文宇获国家专利权
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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156881B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310140258.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由华文宇;蓝天;刘藩东;唐兆云设计研发完成，并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；多个晶体管结构，位于所述衬底内，且沿第一方向和第二方向阵列排布，其中，所述第一方向和所述第二方向为平行于所述衬底平面的方向，且互相垂直；第一电荷引出结构，位于沿所述第一方向排布的相邻的两个所述晶体管结构之间的衬底内，且沿所述第二方向延伸；第二电荷引出结构，位于所述第一电荷引出结构下方的衬底内，与所述第一电荷引出结构电连接。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 多个晶体管结构，位于所述衬底内，且沿第一方向和第二方向阵列排布，其中，所述第一方向和所述第二方向为平行于所述衬底平面的方向，且互相垂直； 第一电荷引出结构，位于沿所述第一方向排布的相邻的两个所述晶体管结构之间的衬底内，且沿所述第二方向延伸；沿所述第二方向，所述第一电荷引出结构包括第一子电荷引出结构和位于所述第一子电荷引出结构两侧的第二子电荷引出结构；沿垂直于所述衬底平面的方向，所述第一子电荷引出结构的深度小于所述第二子电荷引出结构的深度； 第二电荷引出结构，位于所述第一电荷引出结构下方的衬底内，与所述第一电荷引出结构电连接； 连接结构，位于所述第二电荷引出结构的下方，且沿所述第一方向延伸；所述连接结构包括功能连接结构和虚拟连接结构，所述功能连接结构位于所述第一子电荷引出结构的下方，所述虚拟连接结构位于所述第二子电荷引出结构的下方，并与所述第二电荷引出结构相连。
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