中国科学院上海硅酸盐研究所戴云获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116184562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310124559.4，技术领域涉及：G02B6/02；该发明授权一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤及其生长方法是由戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤的生长方法，包括：1选择具有均匀掺杂离子浓度为nat％的晶体或陶瓷，以及无掺杂离子的同质晶体或陶瓷切割成方棒后，按侧面设计切线进行切割、抛光和拼接，得到第一源棒；2采用无掺杂离子的晶体或者陶瓷作为籽晶，将所得源棒固定于激光加热基座单晶光纤生长炉中，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；3将一次正向生长的单晶光纤作为第二源棒进行一次逆向生长；4将一次逆向生长后的单晶光纤作为第三源棒进行二次正向生长；5二次正向生长后的单晶光纤作为第四源棒进行二次逆向生长，得到所述掺杂离子可调控分布的单晶光纤。
本发明授权一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤的生长方法，其特征在于，包括： 1选择具有均匀掺杂离子浓度为nat%的晶体或陶瓷，以及无掺杂离子的同质晶体或陶瓷切割成方棒后，按侧面设计切线进行切割、抛光和拼接，得到第一源棒； 2采用无掺杂离子的晶体或者陶瓷作为籽晶，将所得第一源棒固定于激光加热基座单晶光纤生长炉中，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长； 3将一次正向生长的单晶光纤作为第二源棒进行一次逆向生长； 4将一次逆向生长后的单晶光纤作为第三源棒进行二次正向生长； 5二次正向生长后的单晶光纤作为第四源棒进行二次逆向生长，得到所述掺杂离子可调控分布的单晶光纤。
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