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电子科技大学明鑫获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种有源钳位反激变换器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116232084B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310177479.5,技术领域涉及:H02M3/335;该发明授权一种有源钳位反激变换器是由明鑫;黄江涛;孙天一;余寅实;王卓;张波设计研发完成,并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种有源钳位反激变换器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种有源钳位反激变换器,包括:第一电容;第二电容和第一电阻;第一开关管、第二开关管和第二电阻;变压器,包括漏感、原边绕组、副边绕组、辅助绕组;第一二极管和第四电容;第二二极管和第三电容;第三电阻和第四电阻;控制电路,包括驱动模块和母线电压采样模块,母线电压采样模块利用辅助绕组电压为负时电压值与母线电压线性相关的特点,并将依次串联在辅助绕组两端的第三电阻和第四电阻的连接点钳位为‑200mV,从而将辅助绕组电压转换为Ivs电流采样至芯片内部,并结合开关时序,将Ivs电流信息转换为存储在电容上的电压信息。本发明将对母线电压的采样转移到电压较低的辅助绕组,从而在相同的静态电流下,减小了分压电阻的阻值。

本发明授权一种有源钳位反激变换器在权利要求书中公布了:1.一种有源反激变换器,包括变压器、第一开关管、第二开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一二极管、第二二极管、漏感和控制电路; 所述变压器具有原边绕组、副边绕组和辅助绕组,其中原边绕组的同名端通过漏感后接母线电压;第一电容的一端接母线电压,第一电容的另一端接地; 第一开关管的漏极通过第一电阻和第二电容并联构成的电路后接母线电压,第一开关管的栅极和源极接控制电路,第一开关管的源极还接第二开关管的漏极、原边绕组的异名端; 第二开关管的栅极和源极接控制电路,第二开关管的源极还通过第二电阻后接地; 辅助绕组的异名端接第二二极管的阳极,第二二极管的阴极接控制电路和第三电容的一端,辅助绕组的同名端、第四电阻的一端和第三电容的另一端接地; 辅助绕组的异名端接第三电阻的一端,第三电阻的另一端接控制电路和第四电阻的另一端; 副边绕组的异名端接第一二极管的阳极,第一二极管的阴极接第四电容的一端,副边绕组的同名端和第四电容的另一端接地; 其特征在于,所述控制电路包括驱动模块和母线电压采样模块;其中驱动模块连接第一开关管的栅极和源极、以及第二开关管的栅极和源极; 所述母线电压采样模块包括第一偏置电流、第二偏置电流、第一低压NMOS管、第二低压NMOS管、第三低压NMOS管、第一高压NMOS管、第一低压PMOS管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第一缓冲器、第一与门、第一反相器、第一传输门、第二传输门和第一运算放大器; 其中,第一偏置电流和第二偏置电流构成并联电路,并联电路的输出电流接第一低压NMOS管的栅端和第八电阻的一端;第八电阻的另一端接第一低压NMOS管的漏端、第一低压PMOS管的漏端和第二低压NMOS管的栅端;第一低压NMOS管的源端接地; 第五电阻的一端接第六电阻的一端、第一高压NMOS管的栅端、第五电容的一端和第六电容的一端;第五电阻的另一端接第一低压PMOS管的源端;第一低压PMOS管的栅端接第六电阻的另一端、第二低压NMOS管的漏端、第三低压NMOS管的源端、第一传输门的输入; 第二二极管的阴极接第一高压NMOS管的漏端;第一高压NMOS管的源端接第七电阻的一端;第七电阻的另一端接第三低压NMOS管的漏端;第三低压NMOS管的栅端接第一输入偏置电压; 第二低压NMOS管的源端通过第九电阻后接第三电阻的另一端;第一传输门的输出接第五电容的另一端和第二传输门的输入;第一传输门的同相控制端接第一与门的输出、第一反相器的输入和第二传输门的反相控制端;第一传输门的反相控制端接第一反相器的输出和第二传输门的同相控制端; 第二传输门的输出接第六电容的另一端和第一运算放大器的正输入端;第一运算放大器的负输入端接第一运算放大器的输出;第一缓冲器的输入接第二开关管的控制信号Vgs_Q2,Vgs_Q2=VG2-VS2,第一缓冲器的输出接第一与门的第一输入和第十电阻的一端;第十电阻的另一端接第七电容的一端和第一与门的第二输入;第七电容的另一端接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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