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龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种MEMS惯组传感器结构及其姿态测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116255977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310006449.8，技术领域涉及：G01C21/16；该发明授权一种MEMS惯组传感器结构及其姿态测量方法是由金丽;陈文卿;李孟委设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS惯组传感器结构及其姿态测量方法在说明书摘要公布了：本发明属于惯组传感器技术领域，具体涉及一种MEMS惯组传感器结构及其姿态测量方法，包括激光器层、上层光栅结构层、纳米光栅惯性组件结构层、探测器层，所述激光器层的下方设置了上层光栅结构层，所述上层光栅结构层的下方设置了纳米光栅惯性组件结构层，所述纳米光栅惯性组件结构层的下方设置了探测器层。本发明的纳米光栅惯性组件由X、Y、Z三轴陀螺和三轴加速度结构构成，其主要工作原理是光束垂直入射光栅陀螺与加速度计，双层光栅由于科氏力和惯性力作用下使得双层光栅结构发生相对运动，进而双层光栅后的衍射光强发生变化，通过探测光强的变化进而实现角速率和加速度的测量。

本发明授权一种MEMS惯组传感器结构及其姿态测量方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS惯组传感器结构，其特征在于：包括激光器层1、上层光栅结构层2、纳米光栅惯性组件结构层3、探测器层4，所述激光器层1的下方设置有上层光栅结构层2，所述上层光栅结构层2的下方设置有纳米光栅惯性组件结构层3，所述纳米光栅惯性组件结构层3的下方设置有探测器层4；所述激光器层1发出的光透过上层光栅结构层2，入射至纳米光栅惯性组件结构层3，最终激光汇聚到探测器层4；所述激光器层1包括第一激光器二极管5、第二激光器二极管6、第三激光器二极管7、第四激光器二极管8、第五激光器二极管9和第六激光器二极管10，所述第一激光器二极管5、第二激光器二极管6与第三激光器二极管7并列设置，所述第四激光器二极管8、第五激光器二极管9与第六激光器二极管10并列设置；所述上层光栅结构层2包括第一上层光栅11、第二上层光栅12、第三上层光栅13、第四上层光栅14、第五上层光栅15、第六上层光栅16，所述第一上层光栅11、第二上层光栅12、第三上层光栅13、第四上层光栅14、第五上层光栅15与第六上层光栅16固定连接，所述第一上层光栅11设置在第一激光器二极管5的光路方向上，所述第二上层光栅12设置在第二激光器二极管6的光路方向上，所述第三上层光栅13设置在第三激光器二极管7的光路方向上，所述第四上层光栅14设置在第四激光器二极管8的光路方向上，所述第五上层光栅15设置在第五激光器二极管9的光路方向上，所述第六上层光栅16设置在第六激光器二极管10的光路方向上；所述纳米光栅惯性组件结构层3包括第一框架17和第二框架48，所述第一框架17与第二框架48并列设置；所述第一框架17包括三个正方形区域，所述第一框架17的第一个正方形区域的四角分别垂直固定有第一驱动梁18、第二驱动梁19、第三驱动梁20和第四驱动梁21，所述第一框架17的第二个正方形区域的四角分别垂直固定有第五驱动梁22、第六驱动梁23、第七驱动梁24和第八驱动梁25，所述第一框架17的第三个正方形区域的四角分别垂直固定有第九驱动梁26、第十驱动梁27、第十一驱动梁28和第十二驱动梁29。

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