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龙图腾网获悉上海微电子装备(集团)股份有限公司申请的专利一种压力传感器的加工方法及压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116358744B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111613576.1，技术领域涉及：G01L1/14；该发明授权一种压力传感器的加工方法及压力传感器是由李先明;商飞祥;杨志斌设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压力传感器的加工方法及压力传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种压力传感器的加工方法及压力传感器。该压力传感器的加工方法包括如下步骤：S1、在上层的下表面上制作第一凹槽并在第一凹槽内预留凸台；S2、在中间层内部制作谐振器结构；S3、使中间层的上表面与上层的下表面对准键合，使谐振器结构的自由端与上层的凸台键合；S4、在下层的上表面上制作第二凹槽；S5、在真空条件下，将下层的上表面和中间层的下表面对准键合以形成密封腔，下层与中间层之间的键合部位绝缘连接；S6、在上层的上表面上制作压力敏感膜；S7、分别在上层、中间层和下层上制作电极。该加工方法能够解决真空封装和引线互联的问题，提升封装可靠性，提升产品性能，降低工艺成本。

本发明授权一种压力传感器的加工方法及压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器的加工方法，其特征在于，所述压力传感器包括上层1、中间层2和下层3，所述上层1、所述中间层2和所述下层3均为半导体；所述压力传感器的加工方法包括如下步骤： S1、在所述上层1的下表面上制作第一凹槽11并在所述第一凹槽11内预留凸台12； S2、在所述中间层2内部制作谐振器结构，所述中间层2包括框型部21和悬臂部22，所述悬臂部22的一端连接于所述框型部21的内部以形成谐振器结构； S3、使所述中间层2的上表面与所述上层1的下表面对准键合，使所述谐振器结构的自由端与所述上层1的所述凸台12键合，所述中间层2与所述上层1之间的键合部位绝缘连接； S4、在所述下层3的上表面上制作第二凹槽31； S5、在真空条件下，将所述下层3的上表面和所述中间层2的下表面对准键合以形成密封腔，所述下层3与所述中间层2之间的键合部位绝缘连接； S6、在所述上层1的上表面上制作压力敏感膜； S7、在所述上层1上制作上电极4；在所述中间层2上制作中间电极5；在所述下层3上制作下电极6。

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