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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种低功耗漏电保护芯片电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116466781B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310243543.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种低功耗漏电保护芯片电路是由姜岩峰;黄政;蔡孟冶设计研发完成，并于2023-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗漏电保护芯片电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗漏电保护芯片电路，包括，带隙基准单元，用于产生基准电压V_REF，包括第一电流镜和输出组件；稳流单元，用来产生与温度和电源电压无关的电流源I_REF，包括第二电流镜和负温度系数电流产生组件；稳压单元，用来产生电压源；本发明设计了一款新型漏电保护芯片，具有温度特性稳定，并且功耗较低等特点；利用温度补偿技术对芯片的电源电路和偏置电路进行了改进，改进之后的电路较之前功耗降低80％，芯片静态电流温度漂移降低80％。

本发明授权一种低功耗漏电保护芯片电路在权利要求书中公布了：1.一种低功耗漏电保护芯片电路，其特征在于：包括， 带隙基准单元100，用于产生基准电压V_REF，包括第一电流镜101和输出组件102； 稳流单元200，用来产生与温度和电源电压无关的电流源I_REF，包括第二电流镜201和负温度系数电流产生组件202； 稳压单元300，用来产生电压源； 所述稳压单元300包括运算放大器301和稳压器302，所述运算放大器301为稳压器302提供一个较大的环路增益以保证稳压器的精度和对电源抑制效果； 还包括偏置单元400，为负温度系数电流产生组件202和运算放大器301提供偏置电流； 所述输出组件102包括由晶体管Q1、Q2、Q3和电阻R3构成的正温度系数电流发生器以及晶体管Q1、Q2和Q5构成的负温度系数电压发生器； 所述偏置单元400包括晶体管Q4、Q18和电阻R6、R7，Q4的基极、Q18的基极和Q3的基极连接，Q4的发射极连接R6一端，Q18的发射极连接R7一端，R6另一端、R7另一端与Q1发射极连接并接地，Q1的集电极连接Q15的集电极，Q18的集电极连接Q20的发射极； 所述晶体管Q1的基极与Q2的发射极、Q3的基极连接，R3的一端连接Q3的发射极，R3的另一端与Q1发射极连接并接地，Q1的发射极接地； 所述晶体管Q1的集电极与Q2的基极连接、R1一端连接，R1另一端与Q5的发射极连接，Q5的基极和集电极均与第一电流镜101连接； 所述第一电流镜101包括晶体管Q6~Q12,Q6的集电极、Q9的集电极和Q5的集电极相连，Q6的发射极连接Q7的集电极，Q9的发射极连接Q8的集电极，Q12的发射极连接Q11的集电极，Q6的基极、Q9的基极和Q12的基极相连，Q7的基极、Q8的基极和Q11的基极相连，Q7、Q8、Q11的发射极连接外部供电电压V_SUPPLY； 所述带隙基准单元100还包括辅助组件103，所述辅助组件103包括晶体管Q10和Q17，Q10的发射极和Q11的基极连接，Q10的基极和Q11的集电极连接，Q10的集电极和Q17的集电极连接接地，Q17的发射极和Q12的基极连接，Q17的基极、Q12的集电极和Q3的集电极连接； 电路中所述带隙基准单元100由晶体管Q1、Q3、Q6~Q9、Q11、Q12和电阻R3，产生一个PTAT电流，其中Q6~Q9、Q11和Q12组成一个1:2的电流镜，晶体管Q1、Q3和电阻R3构成一个电流镜，R3上的电压是两个发射结电压之差，为正温度系数的值，由此产生正温度系数电流，基准电压输出端是由晶体管Q1,Q2，Q5的发射结电压以及电阻R1上的电压构成； Q1、Q2、Q3和R3构成正温度系数电流发生器，产生一个与温度严格成正比的电流，同时Q1、Q2、Q5提供一个负温度系数的电压，R1利用正温度系数电流产生正温度系数电压，并和温度系数电压相叠加产生一个与温度无关的电压，作为基准电压V_REF输出； Q15、Q16和R2组成负温度系数电流产生器，利用的Q15的PN结电压的负温度系数产生负温度电流。

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