福建省晋华集成电路有限公司王光荣获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116469935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310319292.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件及其制作方法是由王光荣;巫奉伦;夏忠平;孙淼设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括衬底，多个有源区，浅沟渠隔离，以及多个埋藏式闸极。有源区设置在衬底的表面上，其中各有源区包含半导体层，半导体层与衬底之间具有第一界面。浅沟渠隔离设置在衬底上并环绕有源区。埋藏式闸极埋设在有源区内并位在第一界面之上。藉此，本发明得以在维持一定集成度的前提下，提升有源区之间的隔绝效果，改善了因提高集成水平而可能衍生的器件瑕疵的现象。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于包括： 衬底，具有一表面； 多个有源区，设置在所述衬底的所述表面上，其中各所述有源区包含半导体层，所述半导体层与所述衬底之间具有第一界面； 第一浅沟渠隔离，设置在所述衬底上并环绕所述有源区；以及 第二浅沟渠隔离，设置在相邻所述有源区端部之间的位置； 多个埋藏式闸极，埋设在所述有源区内并位在所述第一界面之上； 所述有源区具有上宽下窄的截面，所述截面包括与第一浅沟渠隔离直接接触的第一侧壁，以及与所述第二浅沟渠隔离直接接触的第二侧壁，所述第一侧壁与所述第一浅沟渠隔离的底面具有第一夹角，所述第二侧壁与所述第二浅沟渠隔离的底面具有第二夹角，所述第二夹角大于所述第一夹角。
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