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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种基于LIF神经元的WTA电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116502687B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310521064.5，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种基于LIF神经元的WTA电路是由宋宏甲;王怀宇;钟向丽;王金斌;郭红霞;欧阳晓平设计研发完成，并于2023-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于LIF神经元的WTA电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于LIF神经元的WTA电路。包括：膜电位积累电路、波形整形电路，泄露电路、脉冲产生电路、不应期电路、双重开关电路、逻辑门电路。本发明的忆阻LIF神经元通过忆阻器的阻值变化和MOS管的开关特性实现激发尖峰脉冲宽度、峰值电位大小和不应期时长可调控。本发明通过双重开关电路、逻辑门电路控制忆阻LIF神经元，实现WTA机制，能有效的提高时间编码信息的高速性和准确性，提高神经系统的噪声鲁棒性和稳定性，在面对庞大数量神经元激发的竞争中效果更好。并且本发明的忆阻LIF神经元电路及其WTA电路所用器件很少，有利于提高类脑芯片的集成密度。

本发明授权一种基于LIF神经元的WTA电路在权利要求书中公布了：1.一种基于LIF神经元的WTA电路，其特征在于，包括多个同时参与竞争的LIF神经元电路、数量与LIF神经元电路相等的双重开关电路和一个逻辑门电路； 所述的LIF神经元电路包括依次连接的输入端、膜电位积累单元、波形整形单元、脉冲产生单元、不应期单元和输出端； 输入端连接膜电位积累单元的输入端，并通过膜电位积累单元来对输入电流进行积分； 膜电位积累单元的输出端连接波形整形单元的输入端，以向波形整形单元输出达到预设阈值的电压； 波形整形单元的输出端连接至脉冲产生单元，以输出由膜电位积累单元产生的模拟信号转换并整形后得到的数字信号；其中波形整形单元包括一级反相器和二级反相器；一级反相器的输入端通过泄漏单元连接至膜电位积累单元，并在接收到预设阈值的电压后马上由输出正电压转为输出0电压，从而向二级反相器输出在正电压和0之间转换的方波信号；二级反相器在接收到0电压后马上由输出负电压转换为输出正电压，从而输出在负电压和正电压之间转换的方波信号； 脉冲产生单元的输出端作为LIF神经元电路的输出端来基于接收的数字信号产生尖峰脉冲输出，同时还连接到不应期单元以控制不应期单元； 不应期单元的输出端连接到膜电位积累单元的输入端，以对膜电位积累单元的输入进行通断控制； 所述的双重开关电路包括第一控制端和第二控制端，其中第一控制端连接LIF神经元电路中波形整形单元的一级反相器输出端，第二控制端连接至逻辑门电路的输出端，双重开关电路的输出端连接至膜电位积累单元以控制膜电位积累单元开始或停止积分； 所述的逻辑门电路的输入端连接所有参与竞争的LIF神经元电路中波形整形电路的输出端，并通过逻辑门电路的输出端来与各个双重开关电路一起控制各个LIF神经元电路的膜电位积累单元开始或停止积分。

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