日扬科技股份有限公司寇崇善获国家专利权
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龙图腾网获悉日扬科技股份有限公司申请的专利半导体结构的加工装置、加工方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116504668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310061241.6，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权半导体结构的加工装置、加工方法及半导体结构是由寇崇善;叶文勇设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的加工装置、加工方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的加工装置、加工方法及半导体结构。此半导体结构的加工装置包含载台与改质能量源。载台承载具有晶格结构之半导体结构。改质能量源提供一非均匀改质能量分布阵列于半导体结构之加工目标区上，使其形成非均匀改质区。在非均匀改质区中，加工目标区与晶格结构之至少一天然解理面naturalcleavageplane相交之重叠区段overlappedsection相较于重叠区段以外之区域具有较低之改质程度modificationdegree，以减少半导体结构产生由重叠区段沿着天然解理面延伸之侧向裂隙。
本发明授权半导体结构的加工装置、加工方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的加工装置，用以进行一加工程序，其特征在于，至少包含： 一载台，用以承载一半导体结构，该半导体结构具有一晶格结构，该半导体结构定义有一加工目标区；以及 一改质能量源，用以在该加工程序之一非均匀改质步骤中，提供一非均匀改质能量分布阵列于该载台上之该半导体结构之该加工目标区上，使得该半导体结构之该加工目标区形成一非均匀改质区，其中在该非均匀改质区中，该加工目标区与该晶格结构之至少一天然解理面相交之一重叠区段相较于该重叠区段以外之一区域具有一较低之改质程度，以减少该半导体结构产生由该重叠区段沿着该天然解理面延伸之侧向裂隙。
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