铠侠股份有限公司中塚圭佑获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116547757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107736.2，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体存储装置是由中塚圭佑;內山泰宏;美濃明良;田上政由;荒井伸也设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式的半导体存储装置包括：衬底、多个第1导电体层、柱、以及第2导电体层。多个第1导电体层设置在衬底的上方，在第1方向上彼此分开。柱贯通多个第1导电体层设置，包括沿所述第1方向延伸的第1半导体层。柱与第1导电体层的交叉部分作为存储器单元发挥功能。第2导电体层设置在多个第1导电体层的上方，与第1半导体层接触。第2导电体层是金属或硅化物。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，包括：衬底； 多个第1导电体层，设置在所述衬底的上方，在第1方向上彼此分开； 柱，贯通所述多个第1导电体层设置，包括沿所述第1方向延伸的第1半导体层，与所述第1导电体层的交叉部分作为存储器单元发挥功能； 第2导电体层，设置在所述多个第1导电体层的上方，与所述第1半导体层接触；以及 第1绝缘体层，设置在所述多个第1导电体层与所述第2导电体层之间，与所述第2导电体层接触；且 所述第2导电体层中的与所述第1半导体层接触的部分是金属或硅化物； 所述第1半导体层的杂质浓度为1019atomscm3以下； 所述第1半导体层与所述第2导电体层的边界部、和所述衬底之间的所述第1方向的间隔，比所述第1绝缘体层与所述衬底之间的所述第1方向的间隔短。
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