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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有闸流体抑制层的半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116598892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310702523.X，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有闸流体抑制层的半导体元件是由张江勇;王星河;李水清;蔡鑫;陈婉君;刘紫涵;胡志勇;张会康;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有闸流体抑制层的半导体元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有闸流体抑制层的半导体元件，涉及半导体光电器件技术领域，包括从下至上依次设置的衬底、第一n型半导体层、第二n型半导体层、闸流体抑制层、量子阱层和p型半导体层；所述闸流体抑制层由第一闸流体抑制层、第二闸流体抑制层和第三闸流体抑制层自下而上组成；通过插入闸流体抑制层，在闸流体抑制层中设计三层不同C含量浓度、C含量呈双台阶下降趋势以及Si掺杂浓度、H含量浓度和O含量浓度的半导体结构结合，抑制深能级缺陷中心，抑制PN相互交错产生结间电容，使闸流体的产生概率从1～5％比例下降至0，解决半导体发光元件使用过程中产生点亮不一致问题。

本发明授权一种具有闸流体抑制层的半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种具有闸流体抑制层的半导体元件，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底100、第一n型半导体层101、第二n型半导体层102、闸流体抑制层103、量子阱层104和p型半导体层105； 所述闸流体抑制层103中设计三层不同C含量浓度，包括Si掺杂浓度、H含量浓度和O含量浓度的半导体结构，其中C含量呈双台阶下降趋势； 所述闸流体抑制层103由第一闸流体抑制层103a、第二闸流体抑制层103b和第三闸流体抑制层103c自下而上组成；所述第二闸流体抑制层103b往第一闸流体抑制层103a的C含量呈双台阶下降趋势，包含第一C含量下降台阶和第二C含量下降台阶；所述第一C含量下降台阶角度为α：60°≥α≥15°，第二C含量下降台阶角度为β：90°≥β≥30°；所述第二闸流体抑制层103b往第三闸流体抑制层103c的C含量呈双台阶下降趋势，包含第三C含量下降台阶和第四C含量下降台阶；所述第三C含量下降台阶角度为γ：80°≥γ≥20°，第四C含量下降台阶角度为θ：90°≥θ≥30°。

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