闽都创新实验室刘伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种二维CrS纳米片及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116623152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310651787.7，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种二维CrS纳米片及其制备方法和应用是由刘伟;姚雨;王必成;何绪;蔡倩;洪文婷设计研发完成，并于2023-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维CrS纳米片及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种二维CrS纳米片及其制备方法和应用。所述二维CrS纳米片的制备方法包括以下步骤：在载气的流通方向上，将硫粉和铬源前驱体分别置于化学气相沉积系统的上游和中央，所述铬源前驱体的正上方设有衬底，通过程序升温进行反应，得到二维硫化镉纳米片；所述程序升温的条件为：在8～10min的升温时间内从20～30℃升至650～680℃，保温。本申请提供的CrS二维纳米片的制备方法简单、可控性强、生产成本低；采用本方法所制备的二维CrS纳米片为磁性材料和磁性相关的自旋电子学应用铺平了道路。
本发明授权一种二维CrS纳米片及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种二维CrS纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在载气的流通方向上，将硫粉和铬源前驱体分别置于化学气相沉积系统的上游和中央，所述硫粉置于距所述铬源前驱体5~10cm的上游位置，所述铬源前驱体的正上方设有衬底，通过程序升温进行反应，得到二维CrS纳米片； 所述程序升温的条件为：在8~10min的升温时间内从20~30℃升至650~680℃，保温1~5min； 所述铬源前驱体包括CrCl3粉末和KCl粉末。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人闽都创新实验室，其通讯地址为：350108 福建省福州市闽侯县上街镇海西高新区科技园高新大道8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励