中国科学院长春光学精密机械与物理研究所宋悦获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利二阶光栅面发射半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116667142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310596158.9，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权二阶光栅面发射半导体激光器及其制备方法是由宋悦;陈泳屹;梁磊;贾鹏;邱橙;雷宇鑫;王玉冰;秦莉;宁永强;王立军设计研发完成，并于2023-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本二阶光栅面发射半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种二阶光栅面发射半导体激光器及其制备方法，激光器包括从下至上依次层叠的衬底层、缓冲层、N型包层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包层和盖层，在衬底层的底面制备有N型电极，N型电极未覆盖衬底层的区域为出光口，在衬底层的底面对应于出光口的位置蒸镀高增透膜；对应于出光口的位置从盖层向下刻蚀至部分P型波导层形成脊波导，在脊波导上制备P型电极，在脊波导的解理面蒸镀高反射膜，对暴露的P型波导层部分进行刻蚀形成二阶直线型光栅，采用量子阱内混工艺对二阶直线型光栅进行无源化处理，以减少对衍射光子的吸收，提高反射和衍射效率。本发明既能保证工艺简单，又能保证高功率输出。
本发明授权二阶光栅面发射半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二阶光栅面发射半导体激光器，包括衬底层，在衬底层的上表面依次生长有缓冲层、N型包层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包层和盖层，在衬底层的下表面制备有N型电极，N型电极未覆盖衬底层的区域为出光口，在衬底层的下表面对应于出光口的位置蒸镀高增透膜；其特征在于，对应于出光口的位置从盖层向下刻蚀至部分P型波导层形成脊波导，在脊波导上制备P型电极，在脊波导的解理面蒸镀高反射膜，对暴露的P型波导层部分进行刻蚀形成二阶直线型光栅，采用量子阱内混工艺对二阶直线型光栅进行无源化处理，以减少对衍射光子的吸收，提高反射和衍射效率。
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