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龙图腾网获悉浙江兆晶新材料科技有限公司;北京中企祥科技有限公司申请的专利一种采用PVT碳化硅长晶炉在石墨件表面制备碳化钽薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117004907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310792169.4，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种采用PVT碳化硅长晶炉在石墨件表面制备碳化钽薄膜的方法是由翟虎;孙金梅设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用PVT碳化硅长晶炉在石墨件表面制备碳化钽薄膜的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种采用PVT碳化硅长晶炉在石墨件表面制备碳化钽薄膜的方法，所述PVT碳化硅长晶炉包括圆筒形立式加热机构和长晶炉本体，所述圆筒形立式加热机构同轴套设于所述长晶炉本体外；所述方法包括：在惰性气氛中，控制所述圆筒形立式加热机构以使所述第二坩埚内的钽粉升华后覆于所述圆台形待镀膜石墨件的内壁表面。该方法采用PVT碳化硅长晶炉装置对石墨件进行镀膜，与现有的CVD方式相比，该装置对使用的材料及在运行过程中装置内的环境要求比较简单，可以有效的对待镀膜石墨件的目标表面进行碳化钽薄膜的制备，减少原料的使用量。

本发明授权一种采用PVT碳化硅长晶炉在石墨件表面制备碳化钽薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种采用PVT碳化硅长晶炉在石墨件表面制备碳化钽薄膜的方法，其特征在于，所述PVT碳化硅长晶炉包括圆筒形立式加热机构和长晶炉本体，所述圆筒形立式加热机构同轴套设于所述长晶炉本体外； 所述长晶炉本体包括保温层3、第一坩埚4、第二坩埚9、顶面5、圆台形待镀膜石墨件6和倒圆台形导流罩7；所述保温层3覆盖于所述第一坩埚4朝向所述圆筒形立式加热机构内表面的表面；所述第二坩埚9设置于所述第一坩埚4的空腔内且开口向上；所述顶面5水平设置于所述第二坩埚9开口的上方，所述顶面5的边缘与所述圆台形待镀膜石墨件6的上底面的边缘可拆卸地连接，所述圆台形待镀膜石墨件6的下底面的边缘与所述倒圆台形导流罩7的下底面的边缘可拆卸地连接，所述倒圆台形导流罩7的上底面与所述第二坩埚9的开口边缘可拆卸地连接；所述第二坩埚9的内壁、顶面5、圆台形待镀膜石墨件6的内侧壁和倒圆台形导流罩7的内侧壁之间形成密封的反应腔； 所述方法包括：在惰性气氛中，控制所述圆筒形立式加热机构以使所述第二坩埚9内的钽粉升华后覆于所述圆台形待镀膜石墨件6的内壁表面； 使置于所述第二坩埚9内的钽粉升华后覆于所述圆台形待镀膜石墨件6的内壁表面包括：控制所述圆筒形立式加热机构，依次进行第一加热处理和第二加热处理，再进行降温处理； 所述第一加热处理的条件包括：所述反应腔的温度为1750-2000℃，气压为0.2-5mbar，时间为1-5h； 所述第二加热处理的条件包括：所述反应腔的温度为1800-2200℃，气压为0.2-5mbar，时间为2-20h。

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