暨南大学杜纯获国家专利权
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龙图腾网获悉暨南大学申请的专利一种图案化二维硫化物/硒化物的阵列化制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117165916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310936145.1，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种图案化二维硫化物/硒化物的阵列化制备方法及其应用是由杜纯;杨子逸;许泰生;黄兹淇;赵圆圆;马楚荣;游道通;段宣明设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图案化二维硫化物/硒化物的阵列化制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种图案化二维硫化物硒化物的阵列化制备方法及其应用。本发明提供了一种成核和生长分开来合成阵列化二维材料的有效方法，该方法利用光刻技术图案化和阵列化版图，通过镀膜技术精准控制材料的成核位点，为后续阵列化二维材料的生长提供诱导源，从而获得了高质量图案化二维材料的阵列生长；该方法不仅操作流程简单而且能够得到无污染、无损坏的阵列化生长的二维材料，在电子器件集成化或微型化中具有广阔的应用前景。
本发明授权一种图案化二维硫化物/硒化物的阵列化制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种图案化二维硫化物硒化物的阵列化制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.在预处理的衬底上进行阵列光刻形成阵列化光刻版图，镀膜，得厚度为3～100nm阵列化薄膜衬底； S2.将步骤S1所得阵列化薄膜衬底与硫源或硒源在惰性气体的保护下，设置升温速率为2～12℃min，升温至400～1000℃进行硫化或硒化反应的气相生长处理，得到阵列化二维硫化物或硒化物； 其中，步骤S2中，所述硫源或硒源放置在阵列化薄膜衬底的两端；惰性气体的流速为40～120sccm； 步骤S1中，所述薄膜为过渡金属薄膜、过渡金属硫化物薄膜、过渡金属硒化物薄膜或过渡金属氧化物薄膜； 步骤S2中，所述气相生长处理是在管式炉中进行，具体为将阵列化薄膜衬底处于管式炉内的加热区的中心处；且硫源或硒源处不直接加热； 所述硫源或硒源距离加热区的中心的放置间距为10～30cm。
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