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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种宽输入范围预稳压电源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117492505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311581871.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种宽输入范围预稳压电源电路是由邱旻韡;屈柯柯设计研发完成，并于2023-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽输入范围预稳压电源电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种宽输入范围预稳压电源电路，属于集成电路领域，包括NMOS管MN1～MN3、二极管D1～D2、电阻R1～R6、电容C1～C2、齐纳管ZN1～ZN6。电路预稳压电压通过齐纳基准源实现，其电压约等于齐纳管ZN6的击穿电压；NMOS管MN1～MN3通过串接方式连接，提高电路的最高输入电压；二极管D1、D2与齐纳管ZN1串联，产生NMOS管MN3栅极的偏置电压，电阻R1使齐纳管ZN1进入击穿状态，电容C1为NMOS管MN3栅极电压提供滤波；电阻R2、R3、R4使齐纳管ZN2处于击穿状态并产生NMOS管MN1、MN2的栅极偏置电压；齐纳管ZN3、ZN4、ZN5分别将NMOS管MN1、MN2、MN3的栅源电压钳制在5V左右，防止NMOS器件栅源击穿失效；电阻R5对齐纳管预稳压主通路进行限流；电阻R6为预稳压电压提供直流负载，电容C2对预稳压电压进行滤波。

本发明授权一种宽输入范围预稳压电源电路在权利要求书中公布了：1.一种宽输入范围预稳压电源电路，其特征在于，包括NMOS管MN1～MN3、二极管D1～D2、电阻R1～R6、电容C1～C2、齐纳管ZN1～ZN6； 电阻R1的第二端接二极管D1的正极，二极管D1的负极接二极管D2的正极，二极管D2的负极接齐纳管ZN1的负极； 电阻R2的第二端接电阻R3的第一端，电阻R3的第二端接电阻R4的第一端，电阻R4的第二端接齐纳管ZN2的负极，齐纳管ZN2的正极同时接二极管D1的正极和电容C1的第一端； 电阻R5的第二端接NMOS晶体管MN1的漏极，NMOS晶体管MN1的栅极同时接电阻R2的第二端和齐纳管ZN3的负极，NMOS晶体管MN1的源极同时接齐纳管ZN3的正极和NMOS晶体管MN2的漏极；NMOS晶体管MN2的栅极同时接电阻R3的第二端和齐纳管ZN4的负极，NMOS晶体管MN2的源极同时接齐纳管ZN4的正极和NMOS晶体管MN3的漏极；NMOS晶体管MN3的栅极同时接电容C1的第一端和齐纳管ZN5的负极，NMOS晶体管MN3的源极同时接齐纳管ZN5的正极和齐纳管ZN6的负极； 电阻R6的第一端和电容C2的第一端均接NMOS晶体管MN3的源极，NMOS晶体管MN3的源极输出预稳压电压VZENER。

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