华南师范大学李娜获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种双发射硅量子点及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117701276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311458759.X，技术领域涉及：C09K11/59；该发明授权一种双发射硅量子点及其制备方法和应用是由李娜;胡雨轩;马兴伟;水玲玲设计研发完成，并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双发射硅量子点及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双发射硅量子点及其制备方法和应用，属于化学和纳米材料科学领域。本发明方案以3‑氨丙基三甲氧基硅烷和洋红酸为反应前驱体，采用一步水热法制备了双发射荧光硅量子点。应用本发明的技术方案，只需一步水热反应即可制备得到双发射硅量子点，合成方法简单、原料易得和成本低。本发明制备的双发射硅量子点光稳定性好，对细胞毒性较低，同时具有两个荧光发射峰，在MCF‑7细胞中表现出明显的蓝色和绿色双通道荧光，在细胞成像方面具有潜在的应用前景。
本发明授权一种双发射硅量子点及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种双发射硅量子点的制备方法，其特征在于，所述方法包括：以3-氨丙基三甲氧基硅烷和洋红酸为反应前驱体，经水热处理、透析、干燥处理得到双发射硅量子点，所述3-氨丙基三甲氧基硅烷、洋红酸和去离子水的加入量为1mL、10-30mg、和5mL，所述水热温度为160-200℃，反应时间4-12小时，透析膜截留分子量为100-500Da，所述干燥为烘干或者冷冻干燥，所述硅量子点在300-400nm激发波长下的最大发射波长分别为440nm和520nm，所述硅量子点具有pH响应性。
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