深圳阜时科技有限公司刘德胜获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳阜时科技有限公司申请的专利光电转换器件及其制备方法、光电检测装置、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117936621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311865550.5，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权光电转换器件及其制备方法、光电检测装置、电子设备是由刘德胜;吕晨晋;李佳鹏;莫良华设计研发完成，并于2023-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电转换器件及其制备方法、光电检测装置、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种光电转换器件，该光电转换器件包括：衬底和外延层；第一掺杂区形成于外延层远离衬底的半导体表面，第二掺杂区位于第一掺杂区与衬底之间；第一掺杂区与第二掺杂区构成PN结和跨越PN结交界面两侧的耗尽区；第一阱区形成于第一掺杂区和第二掺杂区的外围，通过在第二掺杂区周边形成电势更低的第二阱区，使得耗尽区中的光生载流子更易集中流向电势较高的雪崩区，而不会穿透经过第二阱区，这样光生载流子流经雪崩区的数目会提升，相当于提升雪崩区收集外延层中的光生载流子的能力，从而提升器件的光子探测效率。本申请还提供一种包括光电转换器件的光电检测装置、电子设备及光电转换器件的制备方法。
本发明授权光电转换器件及其制备方法、光电检测装置、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光电转换器件，其特征在于，包括： 衬底以及形成于所述衬底上的外延层； 第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区形成于所述外延层远离所述衬底的半导体表面，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述衬底之间；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区构成PN结和跨越所述PN结交界面两侧的耗尽区，所述PN结中使得光生载流子碰撞电离的部分作为雪崩区； 第一阱区，所述第一阱区形成于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的外围，并由所述外延层远离所述衬底的半导体表面向靠近所述衬底的半导体表面延伸预设的深度； 第二阱区，所述第二阱区形成于所述外延层内且被所述第一阱区包围，所述第二阱区的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度，以使得所述第二阱区的电势低于所述第二掺杂区的电势，从而所述第二阱区附近的所述耗尽区向背离所述第一阱区的方向收窄。
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