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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种带温度补偿电路的带隙基准电压源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118192741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410289198.3，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带温度补偿电路的带隙基准电压源电路是由郭爱英;吴雨霏;张建华设计研发完成，并于2024-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带温度补偿电路的带隙基准电压源电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种带温度补偿电路的带隙基准电压源电路，涉及模拟集成电路设计技术领域。所述电路包括启动和偏置电路、带隙基准核心电路以及温度补偿电路；所述启动和偏置电路的输入端连接基准电压VREF；所述启动和偏置电路的输出端输出偏置电压；所述启动和偏置电路的输出端与所述带隙基准核心电路的输入端连接；所述带隙基准核心电路的输出端用于产生PTAT电压、CTAT电压以及基准电压VREF；所述带隙基准核心电路的输出端与所述温度补偿电路的输入端连接；所述温度补偿电路用于对带隙基准电压源电路进行温度补偿，可有效提高带隙基准电压源电路的电源抑制比、降低温漂系数并且具有输出参考电压可调的特点。

本发明授权一种带温度补偿电路的带隙基准电压源电路在权利要求书中公布了：1.一种带温度补偿电路的带隙基准电压源电路，其特征在于，包括：启动和偏置电路、带隙基准核心电路以及温度补偿电路； 所述启动和偏置电路的输入端连接基准电压VREF；所述启动和偏置电路的输出端输出偏置电压；所述启动和偏置电路的输出端与所述带隙基准核心电路的输入端连接；所述带隙基准核心电路的输出端用于产生PTAT电压、CTAT电压以及基准电压VREF；所述带隙基准核心电路的输出端与所述温度补偿电路的输入端连接；所述温度补偿电路用于对带隙基准电压源电路进行温度补偿； 输出级电路具体包括：PMOS管PM3、PMOS管PM4、BJT管Q3、电阻R2、电阻R3以及电阻R4； 所述PMOS管PM3的源极以及所述PMOS管PM4的源极均连接电源电压VDD；所述PMOS管PM3的栅极以及所述PMOS管PM4的栅极作为所述输出级电路的输入端均与PSRR增强电路的输出端OUT连接；所述PMOS管PM3的漏极分别与所述电阻R4的一端以及所述BJT管Q3的发射极连接，连接处生成CTAT电压；所述电阻R4的另一端与所述电阻R3的一端连接，连接处生成基准电压VREF；所述电阻R3的另一端分别与所述PMOS管PM4的漏极以及所述电阻R2的一端连接，连接处生成PTAT电压；所述BJT管Q3的集电极和基极以及所述电阻R2的另一端均接地； 所述温度补偿电路具体包括：PMOS管PM10、PMOS管PM11、PMOS管PM12、PMOS管PM13、PMOS管PM14、PMOS管PM15、NMOS管NM8、NMOS管NM9、NMOS管NM10以及电阻R6； 所述PMOS管PM10的源极、所述PMOS管PM11的源极、所述PMOS管PM12的源极、所述PMOS管PM13的源极、所述PMOS管PM14的源极以及所述PMOS管PM15的源极均连接电源电压VDD；所述PMOS管PM10的栅极以及所述PMOS管PM11的栅极作为所述温度补偿电路的输入端与所述PSRR增强电路的输出端OUT连接；所述PMOS管PM10的漏极分别与所述NMOS管NM8的漏极以及所述NMOS管NM10的栅极连接；所述NMOS管NM8的栅极和漏极短接；所述PMOS管PM11的漏极分别与所述NMOS管NM9的栅极以及所述电阻R6的一端连接；所述PMOS管PM12的栅极和漏极短接并与所述NMOS管NM9的漏极连接；所述PMOS管PM12的栅极与所述PMOS管PM13的栅极连接；所述PMOS管PM13的漏极作为PTAT电压输入端连接所述PTAT电压；所述PMOS管PM14的栅极和漏极短接并与所述NMOS管NM10的漏极连接；所述PMOS管PM14的栅极与所述PMOS管PM15的栅极连接；所述PMOS管PM15的漏极作为CTAT电压输入端连接所述CTAT电压；所述NMOS管NM8的源极、所述电阻R6的另一端、所述NMOS管NM9的源极以及所述NMOS管NM10的源极均接地。

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