成都宏科电子科技有限公司蒋琦获国家专利权
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龙图腾网获悉成都宏科电子科技有限公司申请的专利一种低温烧结低损耗微波陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118255585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410373595.9，技术领域涉及：C04B35/49；该发明授权一种低温烧结低损耗微波陶瓷材料及其制备方法是由蒋琦;林晓云;冉隆荣;汪小玲;刘杨琼;罗婷;江俊俊设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低温烧结低损耗微波陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温烧结低损耗微波陶瓷材料及其制备方法，陶瓷材料的原料包括主晶相、助烧剂，还包括Nb2O5、ZnO、SiO2、Al2O3、CaCO3、ZrO2；所述主晶相的化学式为Ba1‑xSrxNd1‑yBiy2Ti5O14，其中0.12≤x≤0.25,0.04≤y≤0.12；所述助烧剂包括Nd2O3、H3BO3、SiO2、ZnO。制备方法包括制备主晶相烧块、助烧剂烧块，以主晶相烧块、助烧剂烧块、Nb2O5、ZnO、SiO2、Al2O3、CaCO3、ZrO2为原料制备陶瓷材料。本发明的陶瓷材料具有低温烧结、低损耗且近零温度系数的技术特点，系统中没有对环境污染的物质，性能稳定。
本发明授权一种低温烧结低损耗微波陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低温烧结低损耗微波陶瓷材料，其特征在于，其原料包括主晶相、助烧剂，还包括Nb2O5、ZnO、SiO2、Al2O3、CaCO3、ZrO2； 所述主晶相的化学式为Ba1-xSrxNd1-yBiy2Ti5O14，其中0.12≤x≤0.25,0.04≤y≤0.12； 所述助烧剂包括Nd2O3、H3BO3、SiO2、ZnO； 所述助烧剂的化学式为2Nd2O3-4H3BO3-0.5SiO2-3.5ZnO； 制备方法包括： 制备主晶相烧块； 制备助烧剂烧块； 将主晶相烧块、助烧剂烧块、Nb2O5、ZnO、SiO2、Al2O3、CaCO3、ZrO2按重量比混合得混合料，将混合料与水混合，经球磨、烘干、过筛、造粒压制、烧结，即得低温烧结低损耗微波陶瓷材料。
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