中国科学院上海硅酸盐研究所苏良碧获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118422312B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410442364.9，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法是由苏良碧;寇华敏;王栋浩;张中晗;姜大朋;吴庆辉;王静雅;唐飞设计研发完成，并于2024-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法在说明书摘要公布了：本发明属于氟化钙晶体技术领域，具体涉及一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法。为解决特定使用场景下氟化钙晶体的抗辐照损伤特性，本发明通过控制氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子的含量，使得在受到高能辐射照射时，所述氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子相较F空位优先俘获电子，从而减少或抑制F心的形成，最终实现氟化钙晶体在可见光波段抗辐照损伤性能的提升。本发明利用引入痕量的变价离子Yb3+，氟化钙晶体辐照损伤性能得到明显提升。
本发明授权一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过痕量掺杂变价Yb3+离子提高氟化钙晶体在可见光波段抗辐照损伤性能的方法，其特征在于，通过控制氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子的含量，使得在受到高能辐射照射时，所述氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子相较F空位优先俘获电子，从而减少或抑制F心的形成，最终实现氟化钙晶体在可见光波段抗辐照损伤性能的提升； 所述能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子为Yb3+离子； 所述能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子在氟化钙晶体中的含量不超过10ppm。
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