泉州三安半导体科技有限公司高文浩获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118431364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410519102.8，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权发光二极管及发光装置是由高文浩;舒立明;梁倩;吴超瑜;彭钰仁;王笃祥设计研发完成，并于2024-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种发光二极管和发光装置，发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的N型半导体层，有源层和P型半导体层；所述N型半导体层包含第一欧姆接触层、第一覆盖层和第一窗口层；所述P型半导体层包含第二覆盖层和第二窗口层层；其特征在于：所述N型半导体层的厚度小于1.2μm。本发明中通过调整第一窗口层的掺杂方式和厚度，可保证发光二极管芯片的抗静电ESD性能不受影响，同时通过减薄第一窗口层102的厚度可降低第一台面至第一欧姆接触层的高度，从而降低芯片制程难度，提升芯片的工艺良率。
本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，包括： 半导体外延叠层，所述半导体外延叠层具有相对的第一表面和第二表面，沿第一表面到第二表面的方向依次包括N型半导体层，有源层和P型半导体层； 所述N型半导体层包含第一欧姆接触层、第一窗口层和第一覆盖层； 所述P型半导体层包含第二覆盖层和第二窗口层； 其特征在于：所述第一窗口层沿第一表面到第二表面的方向包含依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的掺杂浓度＞2E19cm-3，所述第二子层的掺杂浓度自所述第一窗口层至所述第一覆盖层为降低的；所述N型半导体层的厚度小于1.2μm。
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