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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种半导体器件、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118486754B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410562689.0，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种半导体器件、制备方法及其应用是由鞠旭东;翟琼华;盛振;孙涛;刘志设计研发完成，并于2024-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件、制备方法及其应用通过在X射线灵敏区外设置多层环状结构，包括P型电荷收集环、多个P型保护环及多个N型保护环，有效地屏蔽了X射线灵敏区以外漏电流及外部电场的影响，从而显著提高了信号质量和半导体器件的稳定性。此外，这种结构设计还有效抑制了等离子体效应，进一步提升了半导体器件的灵敏度和信噪比。这些性能的提升对于半导体器件在高工作电压环境下的稳定运行至关重要。本发明的半导体器件，在辐照环境下能够达到至少600V的击穿电压和至少300V的工作电压，充分满足了XFEL等特定应用的需求。

本发明授权一种半导体器件、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： N型衬底，所述N型衬底的预设区域划分为X射线灵敏区，所述X射线灵敏区的面积范围是5毫米×5毫米～30毫米×30毫米，所述半导体器件应用于束流诊断； N型掺杂层，位于所述N型衬底的下表层； P型掺杂区，位于所述N型衬底的上表层，并设置于所述X射线灵敏区； P型电荷收集环，位于所述N型衬底的上表层并环设于所述X射线灵敏区的外围； 多个P型保护环，位于所述N型衬底的上表层并环设于所述P型电荷收集环的外围，多个所述P型保护环沿远离所述X射线灵敏区的方向依次且间隔排列； 多个N型保护环，位于所述N型衬底的上表层并环设于最外层的所述P型保护环的外围，多个所述N型保护环沿远离所述X射线灵敏区的方向依次且间隔排列； 绝缘层，位于所述N型衬底上，所述绝缘层中具有底部显露所述P型掺杂区的第一接触孔、底部显露所述P型电荷收集环的第二接触孔、底部显露所述P型保护环的第三接触孔及底部显露所述N型保护环的第四接触孔； 第一电极层，位于所述绝缘层上，所述第一电极层包括第一电极部、第二电极部、多个第三电极部与多个第四电极部，所述第一电极部位于所述P型掺杂区上方并填充进所述第一接触孔与所述P型掺杂区电连接，所述第二电极部位于所述P型电荷收集环上方并填充进所述第二接触孔与所述P型电荷收集环电连接，所述第三电极部位于所述P型保护环上方并填充进所述第三接触孔与所述P型保护环电连接，所述第四电极部位于所述N型保护环上方并填充进所述第四接触孔与所述N型保护环电连接； 其中，所述第三电极部和所述第四电极部在朝向所述X射线灵敏区的方向上突出于对应的所述P型保护环和所述N型保护环，多个所述第三电极部和多个所述第四电极部的突出部分的宽度在远离所述X射线灵敏区的方向上依次增大。

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