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龙图腾网获悉湖北鼎龙汇鑫科技有限公司申请的专利一种氮化铝静电卡盘及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118619683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410689570.X，技术领域涉及：C04B35/581；该发明授权一种氮化铝静电卡盘及其制备方法是由张荦;邱东兴;李轶凡;艾俊迪;李博设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化铝静电卡盘及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化铝静电卡盘、具有不同功能陶瓷层的氮化铝静电卡盘及其制备方法。本发明的氮化铝静电卡盘，使用三层逐级液压、冷等静压和一体烧结的成型工艺，具有较好的平整度与平行度，进而提高静电卡盘的静电吸附力或控温性能的均匀性。本发明的具有不同功能陶瓷层的氮化铝静电卡盘，包括第一陶瓷层、静电电极、第二陶瓷层、加热电极和第三陶瓷层，所述静电电极位于第一陶瓷层与第二陶瓷层之间，加热电极位于第二陶瓷层和第三陶瓷层之间；所述第一陶瓷层、第二陶瓷层和第三陶瓷层的成分和含量均不相同，在一体烧结后实现每层陶瓷的化学成分、晶相组成、热学电学性质均不相同，进而实现各陶瓷层的不同侧重的功能。

本发明授权一种氮化铝静电卡盘及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有不同功能陶瓷层的氮化铝静电卡盘，其特征在于，包括第一陶瓷层、静电电极、第二陶瓷层、加热电极和第三陶瓷层，所述静电电极位于第一陶瓷层与第二陶瓷层之间，加热电极位于第二陶瓷层和第三陶瓷层之间，所述第一陶瓷层、第二陶瓷层和第三陶瓷层的成分和含量均不相同，所述第一陶瓷层包括氮化铝、烧结助剂和调阻剂成分，所述烧结助剂的用量为氮化铝质量的0.1-4%，调阻剂的用量为氮化铝质量的0.1-2%，其中氮化铝晶粒尺寸为500nm-900nm；所述第一陶瓷层的室温导热率大于180WmK、室温体电阻率不小于1016Ω·cm，在650℃时导热率高于45WmK、体电阻率不小于109Ω·cm；所述第二陶瓷层的室温导热率大于195WmK、室温体电阻率不小于1016Ω·cm，在650℃时导热率高于65WmK、体电阻率不小于108Ω·cm；第三陶瓷层的室温导热率为40~100WmK、室温体电阻率不小于1016Ω·cm，在650℃时导热率为10~20WmK、体电阻率不小于107Ω·cm。

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