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龙图腾网获悉九江德福科技股份有限公司申请的专利一种埋入式薄膜电阻用复合铜箔及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008147B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411203134.3，技术领域涉及：H01C7/00；该发明授权一种埋入式薄膜电阻用复合铜箔及制备方法和应用是由罗佳;吴坤;张杰;穆可文;杨红光;金荣涛设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种埋入式薄膜电阻用复合铜箔及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种埋入式薄膜电阻用复合铜箔及制备方法和应用，所述复合铜箔通过在载体介质层的两面溅射电阻层，然后在电阻层上形成导电铜层，构成第一导电铜层、第一电阻层、载体介质层、第二电阻层、第二导电铜层的复合结构。本发明的复合铜箔具有良好的综合性能以及表面粗糙度，并且具有稳定的方块电阻，可用于挠性埋入式薄膜电阻PCB制造，具有良好的应用前景。

本发明授权一种埋入式薄膜电阻用复合铜箔及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种埋入式薄膜电阻用复合铜箔在埋入式电阻制造中的应用，其特征在于： 所述复合铜箔通过在载体介质层的两面溅射电阻层，然后在电阻层上形成导电铜层，构成第一导电铜层、第一电阻层、载体介质层、第二电阻层、第二导电铜层的复合结构；所述复合铜箔抗拉强度＞300MPa，断后延伸率＞4%，润湿性＞38mNm，镀层附着力＞2.0Nmm；所述复合铜箔的最终表面粗糙度spd介于13900-590001mm2，spc介于15-6501mm，sdr介于5%-200%，Rq介于0.2-4.0μm； 所述复合铜箔的制备方法，包括如下步骤： 1首先通过等离子体对载体介质层进行预处理； 2在预处理后的载体介质层表面通过真空溅射的方式形成电阻层，溅射电阻层前先沉积铬层或钛层作为打底层； 3在电阻层上真空溅射种子铜层； 4通过电沉积沉铜加厚铜层；所述电沉积加厚铜层过程中采用亚硒酸钾和2-巯基苯并噻唑作为添加剂； 5对铜层进行瘤化处理； 6电化学沉积防氧化层，得到埋入式薄膜电阻用复合铜箔； 所述应用包括如下步骤： 1将复合铜箔的第一导电铜层与半固化片进行预压合；预压合后的结合力介于0.3Nmm-1.0Nmm之间； 2在第二导电铜层的外表面层压第一光致抗蚀胶； 3对第一光致抗蚀胶进行曝光成型，定义埋入式电阻的宽度，并进行显影； 4蚀刻掉显影部位的第二导电铜层和第二电阻层； 5移除第二导电铜层外表面的第一光致抗蚀胶，获得导电线路图形； 6在第二导电铜层的外表面层压第二光致抗蚀胶； 7对第二光致抗蚀胶进行曝光成型，定义埋入式电阻的长度，并进行显影； 8蚀刻掉显影部位的第二导电铜层，暴露出所述的第二电阻层； 9移除第二导电铜层外表面的第二光致抗蚀胶，完成第二电阻层埋入式电阻的制备； 10剥离预压合的半固化片，重复以上步骤，完成第一电阻层埋入式电阻的制备；剥离具体为：将制备好埋入式电阻的第二导电铜层与半固化片进行高温压合，并将第一导电铜层与预压合的半固化片机械分离；所述高温压合的温度＞170℃，压合时间＞2h，压合后常温结合力＞0.9Nmm；将第一导电铜层与预压合的半固化片机械分离前，进行预热处理，处理温度＜150℃，处理时间＜30min。

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