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龙图腾网获悉上海明达微电子有限公司申请的专利一种使用外部PNP对集成高压大电流实现功率分配电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119045591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411160253.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种使用外部PNP对集成高压大电流实现功率分配电路是由潘俊;邱雷;何龙;叶升设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种使用外部PNP对集成高压大电流实现功率分配电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种使用外部PNP对集成高压大电流实现功率分配电路，属于模拟电路设计领域，包括高压LDO模块、电流检测器、数字控制器、数字电流转换器和外部PNP，所述误差放大器的输出端同时与MOS管PM1的栅极、MOS管PM2的栅极连接，MOS管PM2的漏极与电流检测器的输入端连接，电流检测器与数字控制器中的升降计数器连接；升降计数器数字电流转换器中的数模转换器连接，数模转换器与跨导放大器连接，跨导放大器的输出端与MOS管NM1的栅极连接，MOS管NM1的漏极与外部PNP中的三极管Q1的基极连接。本发明通过外部PNP晶体管和LDO芯片并联实现功率分配的集成方案，实现了功率分配和布板面积优化的最优结果，结构简单，成本低廉，很好的满足现有的需求。

本发明授权一种使用外部PNP对集成高压大电流实现功率分配电路在权利要求书中公布了：1.一种使用外部PNP对集成高压大电流实现功率分配电路，其特征在于，包括高压LDO模块、电流检测器2、数字控制器、数字电流转换器和外部PNP；所述高压LDO模块包括内建电源产生电路LDO、参考电压产生电路Ref、电流产生电路Bias、误差放大器1、MOS管PM1、MOS管PM2、电阻Rfb1和电阻Rfb2；内建电源产生电路LDO的输入端与电源VIN连接，内建电源产生电路LDO的输出端与参考电压产生电路Ref的输入端、电流产生电路Bias的输入端连接，电流产生电路Bias的输出端与误差放大器1的电源输入端连接，参考电压产生电路Ref的输出端与误差放大器1的输入正端连接；参考电压产生电路Ref的输出端输出参考电压VREF；误差放大器1的输出端同时与MOS管PM1的栅极、MOS管PM2的栅极连接，MOS管PM1的源极、MOS管PM2的源极都与电源VIN连接；MOS管PM1的漏极与电阻Rfb1的一端连接，电阻Rfb1的另一端同时与误差放大器1的输入负端、电阻Rfb2的一端连接，电阻Rfb2的另一端接地；误差放大器1的输入负端为电压反馈VFB；MOS管PM1的漏极为输出电压VOUT； MOS管PM2的漏极与电流检测器2的输入端连接，电流检测器2的电源输入端与参考电压VREF连接；电流检测器2利用采样电流ISEN产生逻辑控制信号； 数字控制器包括升降计数器3；电流检测器2的两个输出端分别与升降计数器3的输入端D_UP、输入端D_DOWN连接； 数字电流转换器包括数模转换器4、跨导放大器5、MOS管NM1和电阻R3；升降计数器3的输出端D2A_PDC与数模转换器4的输入端连接，数模转换器4的输出端VDAC与跨导放大器5的输入正端连接，跨导放大器5的输入负端与MOS管NM1的源极连接，跨导放大器5的输入负端为电压反馈VFB2；跨导放大器5的输出端与MOS管NM1的栅极连接，MOS管NM1的源极与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端接地； 外部PNP包括三极管Q1，MOS管NM1的漏极与三极管Q1的基极连接，三极管Q1的发射极与电源VIN连接；三极管Q1的集电极与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端与MOS管PM1的漏极连接，电容Cout的一端与MOS管PM1的漏极连接，电容Cout的另一端接地，电阻Rload并联在电容Cout的两端。

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