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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种微型LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411335743.4，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种微型LED芯片及其制作方法是由刘伟;邬新根;王锐;王恩泽;苏童设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微型LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请提供的微型LED芯片的制作方法，通过深刻蚀外延叠层，形成通过切割道相互间隔排布的若干个子外延叠层和与其对应设置的切割对准结构，其中，切割对准结构通过沟道与对应的子外延叠层间隔设置，沟道为切偏控制线，可在通过切割道实现LED芯片器件的物理分离时提高切割对准精度，进而提升切割良率；此外，在切割道预设区表面形成光刻胶栅线图形，通过干法刻蚀工艺露出衬底以形成切割道，其中，光刻胶栅线图形的栅线密度沿外延叠层的中心往外延叠层的边缘方向逐渐降低，且外延叠层的边缘区域无栅线，利用与刻蚀深宽比相关的负载效应，以提高刻蚀切割道的线宽均匀性，进一步提升切割良率。

本发明授权一种微型LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微型LED芯片的制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，在所述衬底上生长外延叠层，所述外延叠层包括沿生长方向依次层叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层； 通过刻蚀所述外延叠层，以同步获得切割对准结构及与其相邻的沟道预设区和切割道预设区；所述沟道预设区和切割道预设区分别显露对应的所述第一型半导体层；其中，所述切割对准结构包括部分所述外延叠层或至少部分第一型半导体层； 深刻蚀所述外延叠层，其包括在所述外延叠层的部分区域的所述切割道预设区表面形成光刻胶栅线图形，并通过干法刻蚀工艺对所述外延叠层的全部区域的所述切割道预设区进行刻蚀，露出所述衬底以形成切割道；其中，所述光刻胶栅线图形的栅线密度沿所述外延叠层的中心往所述外延叠层的边缘方向逐渐降低，且外延叠层边缘区域无栅线；并形成通过所述切割道相互间隔排布的若干个子外延叠层和与其对应设置的切割对准结构，其中，所述切割对准结构通过沟道与对应的所述子外延叠层间隔设置，所述沟道为切偏控制线，所述切割道和所述沟道显露所述衬底表面，且各子外延叠层具有显露部分所述第一型半导体层的第一型台面及显露所述第二型半导体层的第二型台面； 在各子外延叠层上制作第一电极和第二电极，所述第一电极沉积于所述第一型台面与所述第一型半导体层形成接触，并与子外延叠层侧壁绝缘设置；所述第二电极沉积于第二型台面与所述第二型半导体层形成接触，且所述第一电极和所述第二电极远离设置。

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